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FDZ391P：Fairchild最新CSP封裝P溝道MOSFET
飛兆半導體公司推出采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封裝的單一P溝道MOSFET器件FDZ391P，能滿足便攜應用對外型薄、電能和熱效率高的需求。這款P溝道MOSFET器件的側(cè)高比標準P溝道MOSFET降低40%，可滿足下一代手機、MP3播放器和其它便攜應用的纖細外形尺寸要求。
2008-11-10
FDZ391P P溝道MOSFET
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射頻電路板設計技巧
成功的RF設計是整個電路設計的關(guān)鍵，在理論上RF電路板設計還是有很多不確定性，但也不全是無章可循。本文就從實體分區(qū)和電氣分區(qū)兩個方面集中探討了和RF電路板分區(qū)設計的有關(guān)問題，希望可以幫助相關(guān)人員找到設計的依據(jù)。
2008-11-10
RF 微過孔 實體分區(qū) 電氣分區(qū) 屏蔽
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射頻電路板設計技巧
成功的RF設計是整個電路設計的關(guān)鍵，在理論上RF電路板設計還是有很多不確定性，但也不全是無章可循。本文就從實體分區(qū)和電氣分區(qū)兩個方面集中探討了和RF電路板分區(qū)設計的有關(guān)問題，希望可以幫助相關(guān)人員找到設計的依據(jù)。
2008-11-10
RF 微過孔 實體分區(qū) 電氣分區(qū) 屏蔽
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射頻電路板設計技巧
成功的RF設計是整個電路設計的關(guān)鍵，在理論上RF電路板設計還是有很多不確定性，但也不全是無章可循。本文就從實體分區(qū)和電氣分區(qū)兩個方面集中探討了和RF電路板分區(qū)設計的有關(guān)問題，希望可以幫助相關(guān)人員找到設計的依據(jù)。
2008-11-10
RF 微過孔 實體分區(qū) 電氣分區(qū) 屏蔽
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如何選擇合適的晶振產(chǎn)品
本文主要討論如何選擇合適的晶振產(chǎn)品，提供了晶振選型時關(guān)心的技術(shù)指標，從頻率、頻率穩(wěn)定度、電源電壓、輸出、工作溫度范圍、相位噪聲和抖動、牽引范圍、封裝、老化率等方面提供了選晶振產(chǎn)品的技術(shù)指導。
2008-11-10
晶振 選型 晶振參數(shù) KVG
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如何準確地貼裝0201元件
業(yè)界所面臨的現(xiàn)實是零件變得越來越小。例如，0201片狀電容比0402小75%，在電路板上所占的面積少66%，這些元件在本十年的早期將出現(xiàn)在一些通用的印刷電路板上，而甚至更小的01005片狀元件到2005年將在空間更珍貴的模塊電路板上看到。本文主要介紹了如何準確地貼裝0201元件并得出結(jié)論。
2008-11-10
0201元件 貼裝 焊盤 測試工作坊
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如何準確地貼裝0201元件
業(yè)界所面臨的現(xiàn)實是零件變得越來越小。例如，0201片狀電容比0402小75%，在電路板上所占的面積少66%，這些元件在本十年的早期將出現(xiàn)在一些通用的印刷電路板上，而甚至更小的01005片狀元件到2005年將在空間更珍貴的模塊電路板上看到。本文主要介紹了如何準確地貼裝0201元件并得出結(jié)論。
2008-11-10
0201元件 貼裝 焊盤 測試工作坊
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應用于EMI及ESD的新型片式元器件
第三代移動通信最終將使高速率（2Mbps）無線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)通信和多媒體通信實現(xiàn)真正的無縫漫游，全面推動現(xiàn)代通信與信息技術(shù)的個人化、移動化和全球一體化。順應通信與信息終端的便攜化、小型化與多功能化發(fā)展潮流，新型元器件呈現(xiàn)微型化、復合化、高頻化、高性能化等趨勢。
2008-11-10
EMI ESD 片式元件
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應用于EMI及ESD的新型片式元器件
第三代移動通信最終將使高速率（2Mbps）無線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)通信和多媒體通信實現(xiàn)真正的無縫漫游，全面推動現(xiàn)代通信與信息技術(shù)的個人化、移動化和全球一體化。順應通信與信息終端的便攜化、小型化與多功能化發(fā)展潮流，新型元器件呈現(xiàn)微型化、復合化、高頻化、高性能化等趨勢。
2008-11-10
EMI ESD 片式元件
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