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電源線噪聲：共模干擾、差模干擾
電源線噪聲是電網(wǎng)中各種用電設(shè)備產(chǎn)生的電磁騷擾沿著電源線傳播所造成的。電源線噪聲分為兩大類：共模干擾、差模干擾。
2022-10-10
電源線噪聲 共模干擾 差模干擾
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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 ...
2022-10-10
GaN 解決方案 TI
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運(yùn)放的信號(hào)疊加電路與求差電路
實(shí)際應(yīng)用中,常要獲取兩個(gè)信號(hào)的差值或?qū)Χ鄠€(gè)模擬信號(hào)進(jìn)行疊加混合，這時(shí)就要使用信號(hào)疊加電路和求差電路。圖一所示的反相比例和同相比例電路是比例運(yùn)算電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以此為基礎(chǔ)，利用疊加原理和戴維南定理就可以構(gòu)造出信號(hào)疊加電路和求差電路。
2022-10-09
運(yùn)放 信號(hào)疊加電路 求差電路
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPARC 將泛林無(wú)與倫比的等離子技術(shù)與化學(xué)和工藝工程相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)邏輯和 DRAM 集成設(shè)計(jì)...
2022-10-09
SPARC DRAM 沉積技術(shù)
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INS5699C全面滿足智能電表應(yīng)用中RTC指標(biāo)要求
隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)社會(huì)高速發(fā)展，居民用電量和企事業(yè)單位用電量也隨之急劇增長(zhǎng)，傳統(tǒng)的電網(wǎng)采集系統(tǒng)已經(jīng)無(wú)法滿足需求，新的智能電量采集系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。電表集中器，也叫智能電表數(shù)據(jù)集中器，是智能電量采集系統(tǒng)中上下行通信的橋梁，在智能電量采集系統(tǒng)中占據(jù)重要的地位。
2022-10-09
INS5699C 智能電表 RTC指標(biāo)
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紅外熱成像儀對(duì)放大器的芯片結(jié)溫的仿真測(cè)試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展，其熱耗不斷增加，散熱問(wèn)題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導(dǎo)率高達(dá) 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競(jìng)爭(zhēng)力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
紅外熱成像儀 放大器 芯片結(jié)溫
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走向特定領(lǐng)域的EDA
似乎越來(lái)越多的公司正在創(chuàng)建自定義 EDA 工具，但尚不清楚這一趨勢(shì)是否正在加速以及它對(duì)主流EDA行業(yè)意味著什么。
2022-09-30
EDA 芯片
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【干貨】強(qiáng)大的4開關(guān)升降壓BOB電源，可升可降、能大能小
基于電感器的開關(guān)架構(gòu)電源有3中常見的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，分別是BUCK降壓電源、BOOST升壓電源以及BUCK-BOOST負(fù)壓電源，今天介紹的第4中拓?fù)洹?開關(guān)BOB電源，在手機(jī)、汽車、嵌入式等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用，它的基本工作原理是怎樣的呢？有什么優(yōu)勢(shì)呢？
2022-09-27
BOB電源 升壓電源 負(fù)壓電源
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術(shù)如何提高器件性能和壽命
由于碳化硅（SiC）器件的低導(dǎo)通損耗和低動(dòng)態(tài)損耗，英飛凌CoolSiC? MOSFET越來(lái)越多地被用于光伏、快速電動(dòng)車充電基礎(chǔ)設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用。但與此同時(shí)，工程師也面臨著獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。實(shí)現(xiàn)更小的外形尺寸，同時(shí)保持功率變換系統(tǒng)的散熱性能，是相互矛盾的挑戰(zhàn)，但英飛凌創(chuàng)新的.XT技術(shù)...
2022-09-27
CoolSiC MOSFET .XT技術(shù)
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