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安森美SiC技術賦能AI數據中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數據中心正面臨前所未有的能耗挑戰(zhàn)。面對大模型訓練、實時推理等場景帶來的指數級能耗增長，全球領先的智能電源與感知技術供應商安森美（onsemi）正式推出《AI數據中心系統方案指南》，首次系統性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技術的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中...
2025-06-25
安森美 碳化硅 數據中心電源 AI服務器供電方案 SiC技術 數據中心能效提升 系統方案指南
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羅姆助力英偉達800V HVDC重塑AI數據中心能源架構
隨著人工智能算力需求爆發(fā)性增長的浪潮下，支撐其運行的底層能源架構正經歷顛覆性升級。羅姆（ROHM） 以其先進的功率半導體技術，成為英偉達（NVIDIA） 全新800V高壓直流（HVDC）數據中心供電架構的核心方案提供者。這一合作聚焦于提升兆瓦級AI工廠的能量轉換效率與功率密度，為下一代超大規(guī)模計算...
2025-06-25
羅姆 英偉達 800V HVDC NVIDIA 800V 電源方案 AI數據中心電源
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高壓BMS：電池儲能系統的安全守護者與壽命延長引擎
在能源轉型的浪潮中，電池儲能系統（BESS）已成為住宅、商業(yè)、工業(yè)和電網級應用的核心基礎設施。而高達數百伏甚至上千伏的高壓電池系統，因其能量密度高、系統效率高、電流損耗小的優(yōu)勢，正成為大規(guī)模儲能的主流選擇。然而，高壓意味著高風險，也對電池管理提出了前所未有的挑戰(zhàn)。高壓電池管理系統...
2025-06-23
高壓BMS 電池管理系統 電池儲能系統 電池安全 電池健康狀態(tài)SOH
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破解工業(yè)電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓撲選擇策略
工業(yè)設備電動化浪潮下，電池充電器面臨嚴苛挑戰(zhàn)：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現高效供電，同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設計，對比升壓與圖騰柱拓撲的實戰(zhàn)優(yōu)劣，解析SiC MOSFET如何重構工業(yè)充電器性能邊界。
2025-06-20
工業(yè)電池充電器 PFC拓撲對比 升壓PFC 圖騰柱PFC SiC MOSFET應用
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高頻時代的電源革命：GaN技術如何顛覆傳統開關電源架構？
在電力電子系統對能效和功率密度要求日益嚴苛的背景下，氮化鎵（GaN）技術已成為推動開關模式電源（SMPS）發(fā)展的核心動力。相較于傳統硅基器件，GaN憑借其3.4eV的寬禁帶特性、更高的電子遷移率（990-2000 cm2/V·s）及更低的導通電阻（RDS(ON)），可將開關頻率提升至兆赫級，同時減少30%...
2025-06-11
電力電子系統 氮化鎵 GaN 開關模式電源
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薄膜電容在新能源領域的未來發(fā)展趨勢：技術革新與市場機遇
隨著全球能源轉型加速，新能源產業(yè)（光伏、風電、儲能、電動汽車等）的爆發(fā)式增長，對薄膜電容的需求持續(xù)攀升。薄膜電容憑借其高耐壓、低損耗、長壽命等特性，成為新能源設備中不可或缺的核心元件。未來，其發(fā)展將圍繞材料創(chuàng)新、高功率密度設計、智能化集成等方向展開，同時面臨成本優(yōu)化與環(huán)保升級...
2025-06-05
薄膜電容
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Spectrum儀器推出帶寬高達3.9 GHz的全新旗艦任意波形發(fā)生器
Spectrum儀器公司今日宣布推出四款高性能任意波形發(fā)生器（AWG），這也成為了公司發(fā)展的重要里程碑。新產品的輸出速率高達10GS/s，垂直分辨率為16位，帶寬最高更是可達3.9GHz，為射頻（RF）與微波信號生成提供了可靠的保障。
2025-06-04
Spectrum儀器
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英飛凌推出全新緊湊型CoolSET封裝系統（SiP）
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSET?封裝系統（SiP）。這款緊湊的全集成式系統功率控制器可在85 - 305 VAC通用輸入電壓范圍內提供最高60 W高效功率輸出。
2025-06-03
英飛凌
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從光伏到充電樁，線繞電阻破解新能源設備浪涌防護難題
線繞電阻憑借高可靠性、耐脈沖電流及寬溫域性能，成為新能源與交通領域關鍵電子元件。在光伏逆變器中限制直流側電容充電電流，于風電變流器Crowbar電路吸收電網故障能量，為電動汽車BMS提供±0.1%精度的四線制電流檢測，并在快充樁中實現緊急泄放儲能。其抗震設計（10G加速度）、10萬小時壽命及-55℃~...
2025-05-22
線繞電阻 新能源設備 交通能源系統
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