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SESDX:TE電路保護部推出硅靜電放電保護器件
TE Connectivity旗下的一個業(yè)務部門TE電路保護部日前發(fā)布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電(SESD)保護器件,可提供市場上最低的電容(雙向:典型值為0.10pF,單向:典型值為0.20pF)、最高的ESD保護(20kV空氣放電和接觸放電)和最小尺寸封裝(多通道:最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm)。
2012-03-29
SESDX TE 電路保護 硅靜電放電
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半導體市況觸底 過剩庫存或成優(yōu)勢
根據(jù)市調(diào)機構IHSiSuppli最新統(tǒng)計,去年第4季全球晶片供應商庫存天數(shù)(DOI)意外攀升3.4%,來到84.1天,創(chuàng)下11年來新高紀錄。乍看,庫存天數(shù)拉高可能不利于產(chǎn)業(yè)發(fā)展,不過IHSiSuppli半導體分析師SharonStiefel表示,半導體廠的訂單出貨比已接近1,顯示市場需求逐步轉強,若需求成長幅度優(yōu)于預期,則...
2012-03-28
半導體 晶圓 DOI
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REM0.64:TE推出用于汽車線束的0.64mm端子
全球領先的精密工程電子元件供應商TE Connectivity(TE),原Tyco Electronics,開發(fā)出新的用于汽車線束的REM0.64端子,它適用于低電流和信號傳輸,以及有防水要求的連接器。
2012-03-28
REM0.64 TE 0.64mm端子
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賽靈思印度研發(fā)及技術支持中心擴大一倍
全球可編程平臺的領導企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc.; NASDAQ: XLNX),日前在印度為新落成的賽靈思印度研發(fā)及技術支持中心辦公大樓(位于海德拉巴高科技城),舉行了隆重的落成典禮。此舉強化了賽靈思對于印度這一新興的高增長市場以及不斷壯大的印度員工的承諾。新的辦公大樓占地約12,000多平方米...
2012-03-28
賽靈思 印度研發(fā)
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基于 ZETA 拓撲結構的 DC/DC 轉換器設計
同 SEPIC DC/DC 轉換器拓撲結構類似,ZETA 轉換器拓撲通過一個在輸出電壓上下范圍變化的輸入電壓提供正輸出電壓。ZETA 轉換器也需要兩個電感和一個串聯(lián)電容器(有時稱飛跨電容)。SEPIC 轉換器使用一個標準升壓轉換器進行配置,ZETA 轉換器則不同,它通過一個驅(qū)動高端 PMOS FET 的降壓轉換器進行配...
2012-03-28
ZETA 拓撲結構 DC/DC 轉換器
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未來五年全球半導體設制造設備支出預測
國際研究暨顧問機構Gartner副總裁KlausRinnen表示:「受2011年下半年半導體制造市場疲軟影響之下,使半導體制造業(yè)撤消擴展計畫。如此的保守投資將持續(xù)到2012年上半年,預期下半年將可望改善。我們所提出的假設系基于主要半導體制造廠所公布的侵略性支出計畫。Gartner亦預期2012下半年到2013年部分產(chǎn)...
2012-03-27
半導體 集成電路 晶圓
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2012光電/感測器/分離元件營收將創(chuàng)新高
市調(diào)機構IC Insights指出,過去一年來,市場對MEMS 感測器、光纖雷射發(fā)射器、 CMOS 影像感測器、發(fā)光二極體(LED),以及功率電晶體的需求強勁,使得光電、感測器/致動器和分離式半導體等市場展現(xiàn)出稍高于8%平均成長率,同時,這三個領域也在過去一年來大部份半導體產(chǎn)品類別都呈現(xiàn)衰退的同時,寫下了5...
2012-03-27
光電 感測器 分離元件
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如何利用DC/DC轉換器提高射頻功放系統(tǒng)效率
從功率預算的角度而言,直接由電池供電的射頻功率放大器(RF PA)是需要重點考慮的元件。本文講述一種通過DC/DC轉換器提供高效RF PA射頻功率放大器系統(tǒng)電源管理的方案。
2012-03-27
蜂窩標準 電源穩(wěn)壓器 DC-DC 射頻功率放大器
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探討LED背光、LED與OLED成像技術的差別
目前很多廠商在推廣自己產(chǎn)品的時候都偷換了一個概念。明明是LED背光顯示器卻要簡稱為LED顯示器。事實上LED顯示器和目前的LED背光顯示器有著本質(zhì)的區(qū)別。當然容易讓讀者們混淆的還有技術非常先進的OLED,那么LED,LED背光,OLED三者之間究竟有怎樣的區(qū)別和聯(lián)系呢?筆者將在本文中給大家介紹這三種技術...
2012-03-27
LED背光 LED OLED 成像
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