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汽車電子

通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題

高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時，應(yīng)對所有其他挑戰(zhàn)。

2022-12-16

SiC MOSFET 功率轉(zhuǎn)換

ADALM2000實驗：CMOS邏輯電路、D型鎖存器

本實驗活動的目標(biāo)是進一步強化上一個實驗活動 “ADALM2000實驗：使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門級電路的經(jīng)驗。具體而言，您將了解如何使用CMOS傳輸門和CMOS反相器來構(gòu)建D型觸發(fā)器或鎖存器。

2022-12-14

CMOS邏輯電路 D型鎖存器

一文了解納芯微新能源汽車傳感器解決方案

針對新能源汽車這一重要市場領(lǐng)域，納芯微豐富的傳感器產(chǎn)品為汽車電子解決方案賦能，其中包括新能源三電系統(tǒng)中的磁電流傳感器、熱管理系統(tǒng)磁角度傳感器、BMS系統(tǒng)中的MEMS壓力傳感器，還有用于混動車及傳統(tǒng)燃油車的各種類型MEMS壓力傳感器、油壓測量傳感器及信號調(diào)理芯片等。

2022-12-14

納芯微新能源汽車傳感器

納芯微驅(qū)動芯片助力工業(yè)自動化和汽車應(yīng)用發(fā)展

隨著新能源汽車和工業(yè)控制對驅(qū)動芯片的需求越來越旺盛、要求越來越復(fù)雜，開發(fā)者在芯片設(shè)計時，需要考慮更多元化的場景和更細(xì)節(jié)的技術(shù)要點。點擊下方視頻，從“三相逆變功率驅(qū)動”、“車載充電器電子鎖”、“PLC數(shù)字輸出”三大典型應(yīng)用場景出發(fā)，結(jié)合納芯微最新推出的智能驅(qū)動芯片，了解如何在系統(tǒng)開發(fā)時選...

2022-12-14

納芯微驅(qū)動芯片汽車應(yīng)用

安森美智能電源產(chǎn)品斬獲中國“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎”多項殊榮

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布其創(chuàng)新的智能電源產(chǎn)品在“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎”評選中榮獲多項獎項。其中，APM32系列汽車碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產(chǎn)品獎”，汽車主驅(qū)碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應(yīng)用獎”，高功率圖騰柱PFC控...

2022-12-13

安森美智能電源

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動汽車電池的充電能力

終端用戶希望新的電動汽車設(shè)計能夠最大限度地減少車輛的空閑時間，尤其是在長途駕駛中。電動汽車設(shè)計人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個單元充電器的設(shè)計范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個單元元件組合到模塊化設(shè)計中可以增加功率輸出，幫助充電...

2022-12-13

面貼裝功率器件電動汽車電池

800V高壓BMS：如何做到系統(tǒng)架構(gòu)升級，組件成本下降？

各種電池結(jié)構(gòu)都有其固有的優(yōu)缺點。汽車OEM廠商需要分析并確定哪種架構(gòu)更適合自己的生產(chǎn)模式，同時保持系統(tǒng)價格競爭力。使用兩個獨立的400V電池是解決這一挑戰(zhàn)的創(chuàng)新性解決方案。

2022-12-13

BMS 系統(tǒng)架構(gòu) 組件成本

不同功率器件在充電樁三相LLC拓?fù)渲械膽?yīng)用探討

近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求?；谌郘LC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場需求?；?0千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800V，對于650V和1200V器件存在兩種不同的拓?fù)浞桨浮Ｎ恼箩槍@兩類拓?fù)溥M行參數(shù)設(shè)計，選取...

2022-12-13

功率器件充電樁 LLC拓?fù)?/p>

SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。

2022-12-13

SiC MOSFET 寄生電容高頻電源