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電子元器件：終端市場(chǎng)未來價(jià)格壓力加大
半導(dǎo)體：08年上半年國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長(zhǎng)10.4％，增速創(chuàng)近5年來的新低，2007年全球分立式功率器件和模塊市場(chǎng)增長(zhǎng)9.3％，未來五年年均增長(zhǎng)8-9％。
2008-09-24
分立式功率器件 元器件
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中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
MOSFET 電源 穩(wěn)壓器管理IC IGBT
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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Epson Toyocom開發(fā)出高性能的水晶絕對(duì)壓力傳感器
Epson Toyocom公司開發(fā)出小型，高性能的水晶壓力傳感器，采用獨(dú)創(chuàng)的QMEMS技術(shù)制造出的壓力傳感結(jié)構(gòu)，以此開發(fā)出具有±10帕（約一萬分之一氣壓）的高精度與0.1帕的高分辨能力的高性能且體積為12.5ml、重量為15g的小型水晶絕對(duì)壓力傳感器。
2008-09-24
壓力傳感器
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SiE726DF：Vishay首款雙面冷卻30V功率MOSFET和肖特基二極管
Vishay目前宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用具頂?shù)咨嵬返姆庋b的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻功能的系統(tǒng)中高性能運(yùn)作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運(yùn)用的效率。
2008-09-24
SiE726DF MOSFET 肖特基二極管
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EMI濾波器設(shè)計(jì)原理
電網(wǎng)噪聲干擾日益嚴(yán)重并形成一種公害，EMI 濾波器是近年來被推廣應(yīng)用的一種新型組合器件，它能有效抑制電網(wǎng)噪聲，提高電子儀器、計(jì)算機(jī)和測(cè)控系統(tǒng)的抗干擾能力及可靠性。本文詳細(xì)闡述了EMI濾波器的設(shè)計(jì)原理、典型應(yīng)用及測(cè)試方法。
2008-09-24
EMI濾波器 電磁干擾 電源噪聲 測(cè)試 插入損耗
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EMI濾波器設(shè)計(jì)原理
電網(wǎng)噪聲干擾日益嚴(yán)重并形成一種公害，EMI 濾波器是近年來被推廣應(yīng)用的一種新型組合器件，它能有效抑制電網(wǎng)噪聲，提高電子儀器、計(jì)算機(jī)和測(cè)控系統(tǒng)的抗干擾能力及可靠性。本文詳細(xì)闡述了EMI濾波器的設(shè)計(jì)原理、典型應(yīng)用及測(cè)試方法。
2008-09-24
EMI濾波器 電磁干擾 電源噪聲 測(cè)試 插入損耗
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