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看文讀懂GPIO電路圖以及上拉電阻的作用
GPIO口，通用輸入輸出，這個大家都知道，但是輸入，輸出的電路是什么樣的，其實并不用太關(guān)心，只需配置寄存器即可，但是還是要摸一摸，為了方便理解，引入了單片機(jī)的IO口原理圖來說明(道理是一樣的)。
2020-07-28
GPIO口 上拉電阻
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安森美將在國際物聯(lián)網(wǎng)展展示最新的聯(lián)接和感知方案
2020年7月24日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，將于7月29日至31日在中國深圳舉行的國際物聯(lián)網(wǎng)展展示廣泛的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)賦能方案。公司利用這亞洲領(lǐng)先的展會展示和探討最新IoT方案，利用聯(lián)接和感知技術(shù)，應(yīng)用于智能家居及建筑、個人IoT、資產(chǎn)監(jiān)控、工...
2020-07-28
安森美 國際物聯(lián)網(wǎng)展 聯(lián)接和感知 方案
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簡述運算放大器的噪聲模型與頻譜密度曲線
噪聲的重要特性之一就是其頻譜密度。電壓噪聲頻譜密度是指每平方根赫茲的有效（ RMS） 噪聲電壓（通常單位為nV/rt-Hz）。功率譜密度的單位為W/Hz。在上一篇文章中，我們了解到電阻的熱噪聲可用方程式 2.1 計算得出。
2020-07-27
運算放大器 噪聲模型 頻譜密度
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如何利用IGBT技術(shù)實現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計？
反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計需要考慮各種因素。其中一些與自身技術(shù)相關(guān)，其它的與應(yīng)用相關(guān)。但是，正向壓降Vf 、反向恢復(fù)電荷Qrr 以及Rth與Zth散熱能力 終將構(gòu)成一種三角關(guān)系。
2020-07-27
IGBT技術(shù) 反并聯(lián)二極管
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飛騰發(fā)布多路服務(wù)器CPU騰云S2500 以五大核心能力賦能新基建
國產(chǎn)CPU再掀新動作。7月23日，“芯算力·新基建·新引擎——飛騰新一代多路服務(wù)器CPU云端發(fā)布會”成功舉行，飛騰公司正式發(fā)布了新一代高可擴(kuò)展多路服務(wù)器芯片騰云S2500。天津市工信局胡旭東巡視員、天津濱海新區(qū)夏青林副區(qū)長、中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)陳錫明副總經(jīng)理、中國工程院倪光南院士和廖湘科院士等領(lǐng)...
2020-07-27
飛騰 多路服務(wù)器 CPU 騰云S2500 新基建
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通道同時采樣器在微機(jī)保護(hù)中的作用
隨著芯片制造工藝的不斷發(fā)展及用戶對數(shù)據(jù)實時性要求的不斷提高。同時采樣 A/D 轉(zhuǎn)換器在實時性方面的巨大優(yōu)勢使其應(yīng)用越來越廣泛。MAXl320 是 Maxim 公司最新推出的并行 14 位 8 通道同時采樣器。
2020-07-23
通道 采樣器 微機(jī)保護(hù) 芯片制造工藝 A/D轉(zhuǎn)換器
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從新能源汽車到智能充電樁，富士通打造車聯(lián)網(wǎng)存儲IC完美陣列
隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)和自動駕駛技術(shù)的推廣，汽車半導(dǎo)體市場正迎來黃金發(fā)展時期。有資料顯示，對于 L1 到 L5 等級的自動駕駛而言，在 L1 時自動駕駛的半導(dǎo)體成本只有約 150 美金，到 L3 等級提升至 600 美金，上升到 L4、L5 等級，整車的半導(dǎo)體成本將會達(dá)到 1200 美金。而這個快速增長的市場中，存儲...
2020-07-22
新能源汽車 智能充電樁 富士通 車聯(lián)網(wǎng) 存儲IC
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如何計算控制器參數(shù)使隔離式CAN網(wǎng)絡(luò)以1 Mbps的速度運行
CAN 是一種差分信號標(biāo)準(zhǔn)，廣泛用于汽車、工業(yè)和儀器儀表行業(yè)。它用于不同系統(tǒng)之間的串行通信，這些系統(tǒng)常常是經(jīng)長距離連接到不同的電源系統(tǒng)。由于環(huán)境限制，常常使用電流隔離來中斷接地環(huán)路或提供物理安全性。
2020-07-17
控制器參數(shù) 隔離式 CAN
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如何激發(fā)GaN“潛能”？想知道的看這里來
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達(dá)到其理論極限。同時，近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的...
2020-07-16
GaN AC/DC電源 GaN晶體管
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