【導讀】驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態(tài)過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章講詳細講解如何正確理解和應用這些功能。
驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態(tài)過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章講詳細講解如何正確理解和應用這些功能。
自舉電路在電平位移驅動電路應用很廣泛，電路非常簡單，成本低，而且有很多實際案例可以抄作業(yè)，不過，由于系統(tǒng)往往存在特殊或極端工況，如設計不當調制頻率或占空比不足以刷新自舉電容器上電荷，電容上的電壓不夠，低于欠壓保護值UVLO，這時候就出現(xiàn)了系統(tǒng)故障，嚴重時會損壞系統(tǒng)。所以英飛凌在相關的數(shù)據(jù)手冊和應用指南中有詳細設計指導和工況分析，分析了電壓紋波，啟動過程的階躍響應和三相空間矢量（或三相正弦波+3次諧波）調制的情況。
自舉電路原理
在研究半橋拓撲中使用的自舉電路元器件取值大小細節(jié)之前，需要復習前兩篇提到的一些基礎知識，為此我們再放一張簡化等效電路有助于分析加深理解（見圖1）。
圖1. 自舉電路的等效電路
自舉等效電路簡化了VBS即自舉電容器Cboot上的電壓特性作為模擬調制開關S1開關狀態(tài)函數(shù)的計算，也簡化其與占空比（D=占空比=T(ON)/T≡1-D）、柵極電荷QG、漏電流Ileak以及自舉電阻Rboot和自舉電容Cboot的計算。
VBSMAX代表電源電壓、加上或減去自舉電路的靜態(tài)電壓降。
自舉電壓紋波和平均值
研究自舉電路動態(tài)過程的最好方法是仿真，下面舉一個數(shù)值的案例做些分析：
設計條件
QG=40nC, f=1/TS=20kHz，
Ileak=200μA, Rboot=220?
圖2顯示了不同自舉電容在10%的占空比時的效果，不難發(fā)現(xiàn)電容值的大小只影響VBS紋波（平均值保持不變）。而圖3所示為Cboot等于47nF和1μF（預充電到VBSMAX=15V），占空比等于DMIN=10%或30%時的仿真結果。
綠色和黃色曲線表示47nF自舉電容器的VBS。紫色和紅色曲線表示使用1μF自舉電容器的VBS。
圖2. 紋波與自舉電容
自舉電路的時間常數(shù)
自舉建立過程是建立在下管導通期間，這時候半橋電路已經開始工作了，但上管平均自舉電壓的建立是需要一個過程，圖3顯示了系統(tǒng)在自舉電容器完全充電至15V（D=100%）時的階躍響應。從圖中可以看出，平均自舉電壓VBS的行為類似于單階系統(tǒng)，其時間常數(shù)由下列公式計算得出。
通過占空比與系統(tǒng)階躍響應之間的關系，我們可以了解到，占空比越小，時間常數(shù)(τ)越大，因此響應越慢，建立平均電壓時間長，如紅色曲線，而占空比越高，響應越快，達到平均電壓時間短，如粉紅曲線。
從上面公式還可以看出，達到平均電壓的時間與電容大小也有關，電容小則時間短，可以比較粉紅色和綠色的平均電壓建立過程曲線。
圖3. 開關的占空比與自舉電容
圖4中顯示了兩種占空比：
1. Rboot=220Ω、Cboot=1μF、D=10%，紅色曲線；
2. Rboot=220Ω、Cboot=1μF、D=30%，粉紅色曲線；
看到占空比是10%時，時間常數(shù)是2.2ms，當占空比提高到30%時，時間常數(shù)只有733μs.
按照上一篇文章的穩(wěn)態(tài)討論結論：
QTOT=QG+Ileak*TOFF=QG+Ileak*(1-D)*TS，
QTOT在低占空比時會增加。在這種情況下，就需要采用較大的自舉電容器，以控制紋波和增加平均電壓時間常數(shù)。
自舉電壓與基波的關系
由于有自舉電阻和電容存在，可以認為其是占空比變化的自適應濾波器。以正弦調制加3次諧波注入的為例，在仿真中，一個基于正弦波基波加上3次諧波調制的PWM信號被送到電路中（TS=50μs，頻率=fe）。
圖4顯示了不同輸出頻率下的預期（計算值）VBS。占空比用角度表示（等于2πfe，其中fe為輸出頻率）的函數(shù)（正弦+3次諧波），該角度從0°到360°。
圖4. 不同輸出頻率下的VBS
系統(tǒng)的不同輸出頻率也會影響自舉電壓值，即不同fe得到的VBS電壓，基波頻率低，自舉電壓紋波就大。黃色曲線VBS(DC)代表使用前面提到的靜態(tài)方程時得到的曲線，是最最嚴酷的工況。
本文的例子是使用三相空間矢量（或三相正弦波+3次諧波）調制的情況。其他類型的調制時的工況需要另外分析。
結論：
自舉電源的電壓會比驅動電路的供電電源電壓VCC要低，其電壓降取決于自舉電阻的壓降和自舉電容上的紋波
自舉平均電壓建立的時間常數(shù)由占空比、自舉電容和電阻決定；
自舉電容器大，VBS紋波?。ㄆ骄当３植蛔儯?；
輸出基波頻率低，自舉紋波大，靜態(tài)計算結果嚴酷。
（作者：陳子穎，鄭姿清；來源：英飛凌工業(yè)半導體）
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