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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之間的外...
2023-10-25
IGBT／MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
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電壓模式R－2R DAC的工作原理和特性
首先，我們將簡(jiǎn)要回顧一下開(kāi)爾文分壓器DAC。這種結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，但它們需要大量的電阻和開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)高分辨率DAC。這個(gè)問(wèn)題的一個(gè)解決方案是稱(chēng)為R-2R DAC的DAC結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)巧妙地利用梯形網(wǎng)絡(luò)來(lái)實(shí)現(xiàn)電阻較少的DAC。
2023-10-25
電壓模式 R－2R DAC
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選擇適用于汽車(chē)應(yīng)用的基準(zhǔn)電壓
ADAS、車(chē)身電子裝置、動(dòng)力總成等汽車(chē)系統(tǒng)需要用到 精密數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。對(duì)于每個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，在測(cè)量汽車(chē)信 號(hào)時(shí)，通常都需要一個(gè)精確的基準(zhǔn)電壓 (VREF) 以便誤 差盡可能低。許多數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器可以合并內(nèi)部基準(zhǔn)，但在 CMOS 技術(shù)中很難找到一個(gè)內(nèi)部基準(zhǔn)電壓能夠達(dá)到雙 極工藝的高精度、低溫漂和低噪聲。這在 ...
2023-10-23
汽車(chē)應(yīng)用 基準(zhǔn)電壓
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如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和太陽(yáng)能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來(lái)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過(guò)，SiC 的材料優(yōu)勢(shì)還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電路保護(hù)領(lǐng)域。本文將回顧該領(lǐng)域的發(fā)展，同時(shí)比較機(jī)械保護(hù)和使用不同半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點(diǎn)。最后，本文還將討論為什...
2023-10-23
碳化硅 固態(tài)斷路器
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如何保護(hù)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)免受故障影響
正常運(yùn)行時(shí)間是工業(yè)自動(dòng)化、樓宇自動(dòng)化、運(yùn)動(dòng)控制和過(guò)程控制等應(yīng)用中保障生產(chǎn)力和盈利能力的關(guān)鍵指標(biāo)。執(zhí)行維護(hù)、人為失誤和設(shè)備故障都會(huì)導(dǎo)致停機(jī)。與停機(jī)相關(guān)的維修成本和生產(chǎn)力損失可能非常高，具體取決于行業(yè)和事件的性質(zhì)。與維護(hù)和人為失誤相關(guān)的停機(jī)無(wú)法避免，但大多數(shù)與設(shè)備相關(guān)的故障是可以...
2023-10-21
保護(hù) 電源系統(tǒng) 設(shè)計(jì)
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如何一站式搞定智能汽車(chē)電源環(huán)路響應(yīng)測(cè)試？
隨著汽車(chē)智能化程度不斷提升，與之密切相關(guān)的智能座艙和自動(dòng)駕駛功能對(duì)芯片的算力要求越來(lái)越高。伴隨芯片算力的持續(xù)提升其功耗也在不斷增加，面臨的場(chǎng)景也更加復(fù)雜多變，但市場(chǎng)卻需要盡可能的降低整體功耗，以延長(zhǎng)車(chē)輛續(xù)航里程，這些變化與要求給工程師帶來(lái)了很多新的挑戰(zhàn)。
2023-10-20
智能汽車(chē) 電源環(huán)路 響應(yīng)測(cè)試
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使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng)
在許多隔離式電源應(yīng)用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用于優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) 兩種開(kāi)關(guān)類(lèi)型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專(zhuān)用 HS 和 LS 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 可在單個(gè) IC 中為 HS 開(kāi)關(guān)管以及 LS 開(kāi)關(guān)管提供輸出。
2023-10-20
柵極驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)驅(qū)動(dòng) 低側(cè)驅(qū)動(dòng)
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為敏感電路提供過(guò)壓及電源反接保護(hù)！
LTC4365是一款獨(dú)特的解決方案，可精巧和穩(wěn)健地保護(hù)敏感電路免遭意料之外的高電源電壓或負(fù)電源電壓。LTC4365 能隔離高達(dá) 60V 的正電壓和低至 –40V 的負(fù)電壓。只有處于安全工作電源范圍之內(nèi)的電壓被傳送至負(fù)載。僅需的外部有源組件是一個(gè)連接在不可預(yù)知的電源與敏感負(fù)載之間的雙路N溝道MOSFET。
2023-10-19
敏感電路 過(guò)壓 電源 反接保護(hù)
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極具性?xún)r(jià)比的ESD保護(hù)芯片
DFN雙面無(wú)引腳封裝, 因其封裝體積小，形式簡(jiǎn)單，高引腳密度，熱管理和防干擾能力佳，穩(wěn)定性和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種需要小型化設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景，如移動(dòng)設(shè)備，筆記本電腦，TWS耳機(jī)等。
2023-10-19
ESD 芯片 矽力杰
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