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怎么設(shè)計(jì)手機(jī)D類(lèi)放大器降低EMI
變化的電壓和電流信號(hào)會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)輻射，形成電磁波干擾，這些電磁波信號(hào)會(huì)影響收音機(jī)、電視和手機(jī)等產(chǎn)品的正常工作。為了防止電子設(shè)備的EMI問(wèn)題，世界各國(guó)都制定了相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，目的都是限制電子產(chǎn)品的電磁波輻射。
2012-12-07
EM EMC
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如何計(jì)算EMI輻射信號(hào)的強(qiáng)度
在學(xué)習(xí)EMI時(shí)，是不是遇到要計(jì)算EMI強(qiáng)度的問(wèn)題？大家肯定想要知道如何計(jì)算需要距離輻射源多遠(yuǎn)才能使輻射信號(hào)不干擾系統(tǒng)？想要知道這個(gè)問(wèn)題的答案嗎？看下文吧！
2012-12-05
EMI 強(qiáng)度計(jì)算 輻射信號(hào)
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基于射頻電路的PCB設(shè)計(jì)
隨著通信技術(shù)的發(fā)展，手持無(wú)線(xiàn)射頻電路技術(shù)運(yùn)用越來(lái)越廣，其中的射頻電路的性能指標(biāo)直接影響整個(gè)產(chǎn)品的質(zhì)量。而掌上產(chǎn)品小型化使得元器件密度大，相互干擾突出，會(huì)嚴(yán)重削弱產(chǎn)品的性能。這樣如何抑制防止電磁干擾提高電磁兼容性就成為射頻電路PCB的重要方面。
2012-12-04
射頻電路 PCB 電磁兼容 布局
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多層板PCB設(shè)計(jì)時(shí)的EMI解決
解決EMI問(wèn)題的辦法很多，現(xiàn)代的EMI抑制方法包括：利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設(shè)計(jì)等。本文從最基本的PCB布板出發(fā)，討論P(yáng)CB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設(shè)計(jì)技巧。
2012-12-03
多層板PCB EMI IC
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降低EMI影響，手機(jī)D類(lèi)放大器怎么設(shè)計(jì)？
由于在效率上相對(duì)于A(yíng)B類(lèi)放大器的巨大優(yōu)勢(shì)，D類(lèi)放大器的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner的報(bào)告，D類(lèi)放大器在2006年至2011年之間的復(fù)合年成長(zhǎng)率將達(dá)15.6%，從3.34億美元成長(zhǎng)至6.88億美元，主要的成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)自于功耗敏感及空間受限的消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。但D類(lèi)放大器開(kāi)關(guān)輸出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)帶來(lái)了高...
2012-12-03
降低 EMI 手機(jī)D類(lèi)放大器
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EMI之時(shí)鐘設(shè)計(jì)
在進(jìn)行產(chǎn)品的硬件設(shè)計(jì)過(guò)程中，EMI問(wèn)題應(yīng)該在設(shè)計(jì)之初就加以考慮，以降低后續(xù)整改所要花費(fèi)的財(cái)力和人力等。以時(shí)鐘信號(hào)為例，對(duì)其進(jìn)行EMI設(shè)計(jì)，以降低輻射干擾。
2012-12-01
EMI 時(shí)鐘芯片
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完美的EMC電路設(shè)計(jì)攻略之：EMC工程師必備技能
產(chǎn)品EMC的認(rèn)證關(guān)系到產(chǎn)品的出貨，對(duì)于一個(gè)產(chǎn)品來(lái)說(shuō)是相當(dāng)重要的。EMC工程師需要具備那些技能?從產(chǎn)品需要進(jìn)行設(shè)計(jì)、整改認(rèn)證的整個(gè)過(guò)程，EMC工程師都必須時(shí)刻關(guān)注，掌握好必備技能，才能“兵來(lái)將擋，水來(lái)土掩”。
2012-11-30
EMC 電路設(shè)計(jì) PCB
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汽車(chē)應(yīng)用中模擬前端放大器EMI減少的解決措施
在醫(yī)療設(shè)備、汽車(chē)儀器儀表和工業(yè)控制等科技領(lǐng)域中，當(dāng)設(shè)備設(shè)計(jì)涉及應(yīng)變計(jì)、傳感器接口和電流監(jiān)控時(shí)，通常需要采用精密模擬前端放大器，以便提取并放大非常微弱的真實(shí)信號(hào)，并抑制共模電壓和噪聲等無(wú)用信號(hào)。
2012-11-29
汽車(chē) 放大器 EMI
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基于USB3.0靜電放電防護(hù)的解決方案
為實(shí)現(xiàn)十倍于USB2.0的傳輸速度，USB 3.0控制芯片必須使用更先進(jìn)的制程來(lái)設(shè)計(jì)與制造，這也造成控制芯片對(duì)ESD的耐受能力快速下降。USB 3.0會(huì)被大量用來(lái)傳輸影音數(shù)據(jù)，對(duì)數(shù)據(jù)傳輸容錯(cuò)率會(huì)有越嚴(yán)格的要求，必要使用額外的保護(hù)組件來(lái)防止ESD事件對(duì)數(shù)據(jù)傳輸?shù)母蓴_。
2012-11-29
USB3.0 靜電放電 ESD防護(hù)
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