噪聲分為兩類：內部噪聲和外部噪聲。內部噪聲是不可避免的，每個電子設備都會產生內部噪聲。LDO 由理想的源供電，這意味著它不受外界影響，因此在輸入端沒有外部噪聲 (雖然 LDO 在輸出端確實有內部噪聲)。外部噪聲是由外界影響(輸入處的紋波——實際源) 產生的各種噪聲。輸入波紋與電源抑制比 (PSRR) ...
2023-04-19
LDO噪聲
在實際的電路設計工作中，降噪是的一項重大課題，通常，可以通過提高開關器件的柵極電阻來抑制噪聲，但其代價是效率降低（損耗增加），因此很好地權衡柵極電阻值的設置是非常重要的。在本文中，我們來探討當將開關器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時，最大柵極電阻RG的情況。另外，由于噪聲需要實際裝機...
2023-04-14
PFC電路 柵極電阻
安森美(onsemi)的藍牙?低功耗（Bluetooth LE）器件在業(yè)界掀起浪潮有好幾年了。2017年，安森美發(fā)布了RSL10，這是其在Bluetooth LE領域的第一款產品。隨后在2021年發(fā)布了RSL15，此后安森美繼續(xù)以Bluetooth LE的規(guī)格開發(fā)新器件。每種器件都有多個系列產品，因此我們準備了一些實用的知識點，幫助您為您...
2023-04-12
藍牙 低功耗器件 選型
在許多工業(yè)和汽車應用中，保護接口收發(fā)器免受各種電過應力事件的影響是一個主要問題。瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管常用于上述用途，因為它們可以通過生成低阻抗電流路徑來鉗制電壓尖峰。
2023-04-10
RS-485 CAN TVS二極管
搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那么米勒效應是如何產生的，我們又該如何應對呢？
2023-03-24
米勒電容 米勒效應 系統設計
在這個互聯程度日益提高的世界中，我們正在越來越多地依賴各種電子儀器和設備，以及其中包含的半導體器件。因此，我們會發(fā)現，市場對于能夠管理電磁干擾 (EMI) 和無線電頻譜中射頻干擾 (RMI) 組件的需求比以往任何時候都高，這并不足為奇。
系統低噪聲 KEMET
高速熔斷器作為保護半導體的器件，通過其本體的電流可能是直流，也可能是交流，或者是脈沖電流，因此計算等效工作電流是熔斷器選型的第一步驟。
2023-03-20
保險絲 高速熔斷器 選型
在對橋式結構中的高邊（HS）MOSFET進行測試時，通常使用高壓差分探頭或差分探頭（*4）來觀測波形，但所用探頭的共模抑制比（CMRR）在高頻區(qū)域可能會降低，波形波動可能會增加。尤其是在測量柵-源電壓VGS時，涉及到測量幾伏級的浪涌，因此需要區(qū)分觀測到的波形是原始波形還是CMRR不足引起的波動波形。
2023-03-16
橋式結構 探頭 CMRR
在隔離通訊、隔離驅動、隔離采樣放大等應用場景需要功率1~3W的隔離電源。我司P系列電源模塊為此量身設計，具有高隔離耐壓、小隔離電容，優(yōu)秀的EMC性能。只需簡單的外圍電路，就能實現優(yōu)秀的EMC性能。
2023-03-08
電源模塊 EMC
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