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能源電力

從基礎(chǔ)到應(yīng)用全面解析無鉛焊接工藝技術(shù)

在電子制作過程中，焊接工作是必不可少的。它不但要求將元件固定在電路板上，而且要求焊點(diǎn)必須牢固、圓滑，所以焊接技術(shù)的好壞直接影響到電子制作的成功與否。而鉛（Pb），是一種有毒的金屬，對(duì)人體有害。本次半月談我們將關(guān)注無鉛焊接工藝技術(shù)的行業(yè)現(xiàn)狀，無鉛焊接工具產(chǎn)品的創(chuàng)新，無鉛焊接工藝的...

2010-03-11

基礎(chǔ) 無鉛焊接焊接工藝技術(shù) 測試工作坊

FSEZ1307/FSEZ1317/FAN103：飛兆半導(dǎo)體提供種類最豐富的初級(jí)端調(diào)節(jié)PWM控制器系列

飛兆半導(dǎo)體公司業(yè)界領(lǐng)先的初級(jí)端調(diào)節(jié)(PSR)脈寬調(diào)制(PWM)控制器系列為移動(dòng)充電器、適配器及LED照明應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供了多種解決方案，以滿足能源之星(ENERGY STAR?) Level V等標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格的功率和穩(wěn)壓規(guī)范要求。

2010-03-11

FSEZ1307 FSEZ1317 FAN103 飛兆半導(dǎo)體 PWM控制器

音頻放大器的額定功率

關(guān)于音頻放大器額定功率的定義，目前已有多種標(biāo)準(zhǔn)。美國聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)(FTC)針對(duì)家庭音頻放大器額定功率建立了公平合理的廣告國際慣例，詳情請(qǐng)參見FTC文檔63FR37233，16CFR，Chapter1，Part432的描述。另一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)為美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)制定的SE-101-A。本文主要介紹音頻放大器的額定功率

2010-03-11

音頻放大器 FTC PMPO

分析師紛紛提高2010年半導(dǎo)體市場預(yù)測

Semiconductor International 全球1月半導(dǎo)體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預(yù)測。為什么如此迫不及待，值得思考。

2010-03-10

半導(dǎo)體 iSuppli Gartner 電子產(chǎn)業(yè)

2010后照明市場六大產(chǎn)品將獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷

低碳概念的深入令無極燈、LED大功率戶外照明、T5和節(jié)能燈成為節(jié)能減排經(jīng)濟(jì)下的四大照明寵兒，科技的快速發(fā)展讓智能化成為電工領(lǐng)域的關(guān)鍵詞。而隨著70后、80后漸漸成為消費(fèi)主力，時(shí)尚、簡約風(fēng)格的水晶燈也將大行其道。這些產(chǎn)品目前的技術(shù)、現(xiàn)狀如何？2010年又將朝著哪些方向發(fā)展？

2010-03-10

照明 LED 節(jié)能 T5 無極燈汞

恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管

這些晶體管稱為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開關(guān)時(shí)間減到絕對(duì)最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時(shí)實(shí)現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關(guān)晶體管使開關(guān)和存儲(chǔ)時(shí)間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...

2010-03-10

恩智浦新一代高效率低VCEsat 晶體管

IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。

2010-03-10

IR 商用集成氮化鎵功率級(jí)器件

136D：Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器

近日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。

2010-03-09

136D Vishay 鉭電容器