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IRF6706S2PbF/IRF6798MPbF ：IR推出新型25V DirectFET 芯片組
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
2010-04-19
IRF6706S2PbF IRF6798MPbF IR DirectFET 芯片組
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阿特斯陽(yáng)光電力榮獲加拿大安大略省176兆瓦光伏項(xiàng)目的承包
阿特斯陽(yáng)光電力，日前宣布獲得安大略省176兆瓦地面光伏電站項(xiàng)目的承包。此批項(xiàng)目將遵從安大略省最新出臺(tái)的太陽(yáng)能上網(wǎng)電價(jià) (FIT) 政策。安大略省的上網(wǎng)電價(jià) (FIT) 是加拿大綠色能源和綠色經(jīng)濟(jì)法的一個(gè)里程碑。
2010-04-19
阿特斯陽(yáng)光電力 加拿大 安大略省 光伏 太陽(yáng)能 cntsnew
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Power Integrations推出可對(duì)X電容自動(dòng)進(jìn)行放電的雙端子IC
用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)： POWI ）近日宣布推出創(chuàng)新的雙端子 CAPZero 系列IC，該IC可對(duì)X電容自動(dòng)進(jìn)行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項(xiàng)安全標(biāo)準(zhǔn)。
2010-04-19
CAPZero系列 IC Power Integrations X電容
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適用在極端惡劣環(huán)境下的新款薄膜貼片電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò)。
2010-04-19
惡劣環(huán)境 薄膜貼片電阻 電阻
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2010年便攜式電腦年增長(zhǎng)率將達(dá)26% 平板電腦出貨量超5百萬(wàn)
根據(jù)DisplaySearch第一季度Quarterly Advanced Notebook PC Shipment and Forecast Report，便攜式電腦市場(chǎng)預(yù)期在2010年增長(zhǎng)到2億1千5百萬(wàn)臺(tái)，營(yíng)業(yè)額達(dá)1千170億美金。Apple iPad與其它電腦品牌陸續(xù)推出平板電腦將使得平板電腦市場(chǎng)急劇升溫。DisplaySearch認(rèn)為平板電腦有機(jī)會(huì)從傳統(tǒng)翻蓋式筆記本電腦...
2010-04-19
便攜式 電腦 筆記本 平板電腦
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2010年，中國(guó)成長(zhǎng)為全球第二大電子書(shū)市場(chǎng)
自亞馬遜(Amazon)于2007年發(fā)表Kindle后，2009年電子書(shū)閱讀器市場(chǎng)開(kāi)始邁向成長(zhǎng)期。據(jù)DIGITIMES Research統(tǒng)計(jì)，全球電子書(shū)閱讀器2010年第1季出貨量已超越120萬(wàn)臺(tái)，年成長(zhǎng)率超過(guò)200%。
2010-04-19
電子書(shū) 電子書(shū)閱讀器 漢王 中國(guó)市場(chǎng)
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DisplaySearch:2009年EPD出貨已達(dá)5百萬(wàn)片
電子書(shū)的流行，特別是亞馬遜書(shū)店出版的Kindle引領(lǐng)潮流，根據(jù)DisplaySearch最新一季中小尺寸面板出貨及預(yù)測(cè)調(diào)查研究中指出，2009年電子紙 (EPD)出貨量達(dá)5百萬(wàn)片，與2008年95萬(wàn)片比較成長(zhǎng)幅度高達(dá)417%。而DisplaySearch因應(yīng)市場(chǎng)需求特于報(bào)告中增加電子書(shū)的類別，并細(xì)分不同尺寸，同時(shí)包含大家所關(guān)注的...
2010-04-19
中國(guó) 電子書(shū) EPD
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東京農(nóng)工大學(xué)開(kāi)發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器
東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布，開(kāi)發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學(xué) 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據(jù)稱，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購(gòu)買1萬(wàn)個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。
2010-04-19
IR 導(dǎo)通電阻 耐壓 功率MOSFET
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