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半導(dǎo)體制造晶圓檢測技術(shù)分析
半導(dǎo)體制造業(yè)廣泛采用了晶圓自動檢測方法在制造過程中檢測缺陷，以緩解工況偏差和減低總?cè)毕菝芏?。本文介紹晶圓檢測方法進(jìn)展，有效方式識別與良率相關(guān)的缺陷。
2010-06-22
晶圓檢測 缺陷檢測 在線晶圓檢測
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通孔刻蝕工藝的檢測技術(shù)研究
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)推進(jìn)到更加先進(jìn)的深亞微米技術(shù)，半導(dǎo)體金屬布線的層數(shù)越來越多，相應(yīng)的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設(shè)計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發(fā)展到512M時，設(shè)計規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...
2010-06-22
通孔刻蝕工藝 檢測技術(shù) 晶體管
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射頻封裝系統(tǒng)
在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術(shù)制作而成，例如BBIC采用CMOS技術(shù)、收發(fā)機(jī)采用SiGe和BiCMOS技術(shù)、RF開關(guān)采用GaAs技術(shù)等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術(shù)的限制，因此不能有效利用上述各項技術(shù)的優(yōu)勢。系統(tǒng)級封裝(SiP)可以對各種不同技術(shù)的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統(tǒng) ASIC BBIC
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原子層淀積技術(shù)
ALD技術(shù)的獨(dú)特性決定了其在半導(dǎo)體工業(yè)中的運(yùn)用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導(dǎo)致的介質(zhì)薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學(xué)極限，同時高縱寬比在器件結(jié)構(gòu)中隨處可見。由于傳統(tǒng)的淀積技術(shù)很難滿足需求，ALD技術(shù)已充分顯示了其優(yōu)勢，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...
2010-06-22
原子層淀積 ALD MOCVD PVD
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產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國太陽能產(chǎn)業(yè)在全球居于領(lǐng)先地位
來自全球太陽能產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國光伏產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)穩(wěn)步增長，在2009年其3.8 GW 的總裝機(jī)容量或者一半新的裝機(jī)容量，使其在這一領(lǐng)域居于世界領(lǐng)先地位。
2010-06-22
太陽能 光伏 薄膜 電池
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Microchip擴(kuò)展mTouch電容式觸摸傳感技術(shù)能力
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出業(yè)界第一個也是唯一的一項可以以金屬為前面板的電容式觸摸傳感技術(shù)。
2010-06-22
Microchip mTouch 電容式觸摸傳感
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Vishay推出具有超短傳播延遲的新款高速模擬光耦
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。
2010-06-22
Vishay 超短傳播延遲 模擬光耦
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LED驅(qū)動電路功率因數(shù)改善探討以及NCP1014解決方案
本參考設(shè)計將分析現(xiàn)有照明LED驅(qū)動電路設(shè)計功率因數(shù)低的原因，探討改善功率因數(shù)的技術(shù)及解決方案，介紹相關(guān)設(shè)計過程、元器件選擇依據(jù)、測試數(shù)據(jù)分享，顯示這參考設(shè)計如何輕松符合“能源之星”固態(tài)照明標(biāo)準(zhǔn)的功率因數(shù)要求，非常適合低功率LED照明應(yīng)用。
2010-06-21
功率因數(shù) PFC NCP1014LEDGTGEVB NCP1014
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BGA封裝的焊球評測
BGA和CSP等陣列封裝在過去十年里CAGR已增長了近25%，預(yù)計還將繼續(xù)維持此增長率。同時，器件封裝更加功能化，具有更高的I/O數(shù)量，更細(xì)的節(jié)距。但是好的焊球是什么樣一個標(biāo)準(zhǔn)，如何才能做好是很多初學(xué)者的疑問，請看本文為你的分析
2010-06-21
BGA封裝 焊球 評測 HJTECH
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