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安防監(jiān)控

原子層淀積技術(shù)

ALD技術(shù)的獨特性決定了其在半導體工業(yè)中的運用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導致的介質(zhì)薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學極限，同時高縱寬比在器件結(jié)構(gòu)中隨處可見。由于傳統(tǒng)的淀積技術(shù)很難滿足需求，ALD技術(shù)已充分顯示了其優(yōu)勢，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...

2010-06-22

原子層淀積 ALD MOCVD PVD

產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國太陽能產(chǎn)業(yè)在全球居于領(lǐng)先地位

來自全球太陽能產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國光伏產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)穩(wěn)步增長，在2009年其3.8 GW 的總裝機容量或者一半新的裝機容量，使其在這一領(lǐng)域居于世界領(lǐng)先地位。

2010-06-22

太陽能光伏薄膜電池

Microchip擴展mTouch電容式觸摸傳感技術(shù)能力

Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出業(yè)界第一個也是唯一的一項可以以金屬為前面板的電容式觸摸傳感技術(shù)。

2010-06-22

Microchip mTouch 電容式觸摸傳感

Vishay推出具有超短傳播延遲的新款高速模擬光耦

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款采用標準SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。

2010-06-22

Vishay 超短傳播延遲模擬光耦

LED驅(qū)動電路功率因數(shù)改善探討以及NCP1014解決方案

本參考設(shè)計將分析現(xiàn)有照明LED驅(qū)動電路設(shè)計功率因數(shù)低的原因，探討改善功率因數(shù)的技術(shù)及解決方案，介紹相關(guān)設(shè)計過程、元器件選擇依據(jù)、測試數(shù)據(jù)分享，顯示這參考設(shè)計如何輕松符合“能源之星”固態(tài)照明標準的功率因數(shù)要求，非常適合低功率LED照明應用。

2010-06-21

功率因數(shù) PFC NCP1014LEDGTGEVB NCP1014

BGA封裝的焊球評測

BGA和CSP等陣列封裝在過去十年里CAGR已增長了近25%，預計還將繼續(xù)維持此增長率。同時，器件封裝更加功能化，具有更高的I/O數(shù)量，更細的節(jié)距。但是好的焊球是什么樣一個標準，如何才能做好是很多初學者的疑問，請看本文為你的分析

2010-06-21

BGA封裝焊球評測 HJTECH

可制造性設(shè)計

PCB可制造性設(shè)計分析（DFM系統(tǒng)）是一個促進生產(chǎn)力的強大工具。它能促使你在毫無損失的情況下使設(shè)計更加小型化，降低產(chǎn)品上市時間并信心十足地在全球制造趨勢中獲利受益。如果不使用DFM，則你可能面臨高成本、高風險的巨大挑戰(zhàn)。不信，那么請仔細的閱讀本文

2010-06-21

可制造性 DFM PCB設(shè)計新產(chǎn)品導入（NPI）

2010年半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚113.2%

Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級，將帶動 2010年半導體資本設(shè)備市場的成長。對40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動能。

2010-06-21

半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè) Gartner