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安森美半導(dǎo)體推出IPD2工藝技術(shù)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ?硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成無源元件(IPD)工藝
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飛兆半導(dǎo)體USB技術(shù)實現(xiàn)移動產(chǎn)品設(shè)計差異化
USB業(yè)已成為移動應(yīng)用設(shè)備的通用接口，USB端口從單純的數(shù)據(jù)接口已經(jīng)演變?yōu)橐环N文件傳輸、電池充電、收聽音樂和設(shè)備工廠編程的方法。為了更好地支持單一連接器上的功能融合，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)提供全新的USB收發(fā)器和USB附件檢測開關(guān)，可以實現(xiàn)更豐富功能，且不會增加設(shè)計復(fù)雜性...
2010-06-01
micro-USB開關(guān)(FSA9280A) USB收發(fā)器(FUSB2500)
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PS9505/PS9305：CEL推出柵極驅(qū)動光耦合器
CEL推出大電流快速轉(zhuǎn)換時間的柵極驅(qū)動光耦合器PS9505和PS9305，PS9505和PS9305系列隔離的柵極驅(qū)動光耦合器具有高的共模瞬態(tài)免疫、高輸出電流和快速轉(zhuǎn)換時間，用來驅(qū)動功率晶體管，感應(yīng)加熱和工業(yè)逆變器。
2010-05-31
PS9505 PS9305 CEL 光耦合器
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世界最小晶體管問世：僅由7個原子構(gòu)成
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報道，美國與澳大利亞科學(xué)家成功制造出世界上最小的晶體管——由7個原子在單晶硅表面構(gòu)成的一個“量子點”，標(biāo)志著我們向計算能力的新時 代邁出了重要一步。
2010-05-31
晶體管 原子
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Vishay推出6款用于消費電子的FRED Pt超快恢復(fù)整流器
日前，Vishay推出6款用于消費電子應(yīng)用的FRED Pt超快恢復(fù)整流器。新的600V、8A器件在額定電流下具有1V的超低典型壓降，在硬開關(guān)條件下的快速恢復(fù)時間只有16ns，在125℃下的典型泄漏電流低至30μA。
2010-05-31
整流器
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世健科技與首爾半導(dǎo)體簽署分銷協(xié)議，正式進(jìn)軍LED 市場
新加坡上市公司世健科技有限公司 ( 下稱“世健公司” 或 “世健” ) 今天宣布與首爾半導(dǎo)體達(dá)成分銷協(xié)議, 授權(quán)世健公司在中國、印度及東盟國家和地區(qū)銷售首爾半導(dǎo)體從最小的DC LED到世界首創(chuàng)的AC LED – Acriche 的全線產(chǎn)品。
2010-05-28
世健科技 首爾半導(dǎo)體 LED
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東京都市大學(xué)制作出嵌入鍺量子點的硅基LED
東京都市大學(xué)（原武蔵工業(yè)大學(xué)）宣布其制作出了采用鍺（Ge）量子點的硅發(fā)光元件，并在室溫下確認(rèn)了基于電流激勵的發(fā)光現(xiàn)象。由于可在CMOS工藝中使用具有兼容性的制造工藝、還有望實現(xiàn)激光振蕩，距離硅光子的實現(xiàn)更近了一步。
2010-05-28
東京都市大學(xué) 硅 LED CMOS 光開關(guān)
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Digi-Key與Sanyo Semiconductor簽署全球經(jīng)銷協(xié)定
全球電子零件經(jīng)銷商Digi-Key公司(Digi-Key Corporation)，日前宣布與Sanyo Semiconductor Corporation (USA)簽署全球經(jīng)銷協(xié)定，Digi-Key將協(xié)助銷售Sanyo的產(chǎn)品包括分立式半導(dǎo)體產(chǎn)品、IC、感測器及傳感器。這些產(chǎn)品均可透過Digi-Key全球網(wǎng)站供貨。
2010-05-28
Digi-Key Sanyo Semiconductor IC 感測器 傳感器
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50V RF LDMOS：飛思卡爾推出高功率密度功率管
飛思卡爾半導(dǎo)體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應(yīng)用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負(fù)載中提供 300 W CW的全額...
2010-05-28
50 V RF LDMOS 功率管
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