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CEF上榜“2008年度中國(guó)最具參展價(jià)值的行業(yè)展會(huì)榜單”
近日，中國(guó)電子展(CEF)榮獲由中國(guó)名企排行網(wǎng)、中國(guó)采購(gòu)與招標(biāo)網(wǎng)聯(lián)合主辦的2008年度中國(guó)最具參展價(jià)值的行業(yè)展會(huì)評(píng)價(jià)推介活動(dòng)中電子行業(yè)展會(huì)的一等獎(jiǎng)。
2009-02-13
太陽(yáng)能光伏 中國(guó)電子展 裝備制造 電子行業(yè)
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SOD123W TVS:恩智浦高浪涌能力TVS二極管
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出新系列瞬時(shí)電壓抑制器(TVS)二極管，新系列產(chǎn)品采用新型的SOD123W FlatPower封裝。該系列二極管提供400 W額定峰值脈沖功率(10/1000μs)，單位PCB面積的浪涌能力約為67 W/mm2，是市場(chǎng)上采用類似封裝的TVS產(chǎn)品浪涌能力的2倍以...
2009-02-12
FlatPower TVS 浪涌電流 二極管 電路保護(hù) NXP 恩智浦
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滿足可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用 英飛凌擴(kuò)產(chǎn)功率模塊
近日，英飛凌科技股份公司宣布，該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的功率模塊生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)于可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的需求。2012年英飛凌計(jì)劃使Cegléd工廠的IGBT模塊達(dá)到年產(chǎn)近600萬(wàn)塊。
2009-02-12
功率模塊 IGBT 電機(jī)驅(qū)動(dòng) 可再生能源
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2008年1～11月我國(guó)電池行業(yè)運(yùn)行情況
2008年11月，我國(guó)電池行業(yè)完成工業(yè)總產(chǎn)值221億元，電池產(chǎn)量30.7億只，鉛酸蓄電池產(chǎn)量619萬(wàn)千伏安時(shí)；1～11月，累計(jì)完成工業(yè)總產(chǎn)值2243億元，同比增長(zhǎng)43.9%，較1～10月下降1.7個(gè)百分點(diǎn)；利潤(rùn)總額125億元，同比增長(zhǎng)73.9%，虧損企業(yè)虧損額9億元，同比增長(zhǎng)17.6%。
2009-02-12
電池
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工信部醞釀恢復(fù)鉛酸蓄電池行業(yè)出口退稅
20萬(wàn)農(nóng)民工被裁驚動(dòng)高層 工信部醞釀恢復(fù)鉛酸蓄電池行業(yè)出口退稅
2009-02-11
工信部 鉛酸蓄電池 農(nóng)民工 失業(yè)
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300144Z/5Z：Vishay兩款新型超高精度Z箔分壓器電阻
日前，Vishay推出兩款新型超高精度Z箔分壓器電阻300144Z 和 300145Z。典型應(yīng)用將包括以下設(shè)備中的高精度儀表放大器、橋接網(wǎng)絡(luò)及差分放大器：熱穩(wěn)定性、響應(yīng)時(shí)間及長(zhǎng)期穩(wěn)定性均至關(guān)重要的高端醫(yī)療、軍事、航空、自動(dòng)測(cè)試及井下鉆探設(shè)備。
2009-02-11
300144Z 300145Z Z箔分壓器電阻
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2008年第四季全球等離子面板出貨量同比下滑12%
2008年第四季全球等離子面板出貨量?jī)H達(dá)380萬(wàn)片，較第三季下滑8%，與2007年同期相比下滑12%
2009-02-11
等離子面板 全高清 Panasonic Samsung SDI LGE
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如何使高速數(shù)據(jù)接口和電信設(shè)備免受ESD與過(guò)載危害
本文介紹了安森美的ESD保護(hù)產(chǎn)品線，包括TVS和ESD保護(hù)平臺(tái)。還介紹了安森美的晶閘管浪涌保護(hù)器件(TSPD)系列 ，TSPD導(dǎo)通速度快、電壓精度高和電流能力高且不存在功率限制，可對(duì)瞬時(shí)浪涌提供極佳的保護(hù)，可以對(duì)室外國(guó)工作的電信設(shè)備進(jìn)行有效的保護(hù)，使他們免受靜電放電、閃電浪涌、電力故障造成的過(guò)載...
2009-02-11
ESD 瞬時(shí)浪涌 TVS 晶閘管 USB2.0 HDMI 安森美 電路保護(hù)
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F系列：ROHM高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻特性MOSFET
ROHM成功開(kāi)發(fā)出具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻特性，并且大幅度縮短了內(nèi)部二極管反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) 的高耐壓MOSFET「F系列」！
2009-02-10
ROHM MOSFET 低導(dǎo)通 高耐壓
- 高精度低噪聲 or 大功率強(qiáng)驅(qū)動(dòng)？?jī)x表放大器與功率放大器選型指南
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