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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
在功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章《功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》和《功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法》分別講了功率半導(dǎo)體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的測溫儀器是熱電偶、紅外成像儀和模塊中的NTC和芯片上的二極管。
2024-12-31
功率器件 熱設(shè)計(jì) 功率半導(dǎo)體器件 結(jié)構(gòu)函數(shù)
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JFET 共源共柵提高了電流源性能
許多過程控制傳感器，例如熱敏電阻和應(yīng)變計(jì)電橋，都需要的偏置電流。通過添加單個(gè)電流設(shè)置電阻器 R 1，您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產(chǎn)生恒定且的電流源（圖 1 ）。然而，信號(hào)源的誤差取決于 R 1 和 IC 1的精度 ，并影響測量精度和分辨率。盡管您可以指定精度超過常用電壓基準(zhǔn) IC 精度的高精度電...
2024-12-31
JFET 共源共柵 電流源
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探索工業(yè)應(yīng)用中邊緣連接的未來
我們的世界正變得更加智能且緊密相連，樓宇和工廠正以前所未有的方式實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。為了確保這些新系統(tǒng)有效運(yùn)行，可靠的信息通信至關(guān)重要——這不僅體現(xiàn)在工業(yè)控制面板內(nèi)部，也包括遍布整個(gè)場所的各種設(shè)備之間的通信。
2024-12-31
工業(yè)應(yīng)用 邊緣連接
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機(jī)電繼電器的特性及其在信號(hào)切換中的選型和應(yīng)用
本文介紹了機(jī)電繼電器(EMR)在信號(hào)切換中的應(yīng)用，強(qiáng)調(diào)了其出色的導(dǎo)通和關(guān)斷性能、輸入/輸出隔離功能以及多極配置帶來的靈活性和多功能性。文章以 Omron Electronic Components 的產(chǎn)品為例，介紹了如何選擇和應(yīng)用 EMR，包括繼電器類型、區(qū)別、配置、射頻性能、功耗以及可靠性等方面的考慮。
2024-12-31
機(jī)電繼電器 信號(hào)切換
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低功率開關(guān)電容器帶隙，第 2 部分
在本期文章中，對(duì)傳統(tǒng)的帶隙電路進(jìn)行了誤差分析，然后解釋了如何使用開關(guān)電容電路將這些誤差降至。圖 1 顯示了傳統(tǒng)的帶隙參考實(shí)現(xiàn)方案及其相關(guān)的誤差源。
2024-12-31
開關(guān)電容器
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解構(gòu)數(shù)字化轉(zhuǎn)型：從策略到執(zhí)行的全面思考
今年，我們看到先進(jìn)電子技術(shù)和軟件在產(chǎn)品功能中的占比仍在持續(xù)增加，產(chǎn)品、制造工藝和供應(yīng)鏈的復(fù)雜程度更勝從前，市場高漲的需求要求更短的產(chǎn)品開發(fā)周期，同時(shí)，各種新規(guī)也不斷涌現(xiàn)：今年 5 月，中國財(cái)政部發(fā)布了《企業(yè)可持續(xù)披露準(zhǔn)則——基本準(zhǔn)則（征求意見稿）》，要求企業(yè)踐行可持續(xù)發(fā)展理念；11 ...
2024-12-29
數(shù)字化轉(zhuǎn)型 工業(yè)軟件
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為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。
2024-12-28
數(shù)據(jù)中心 SiC MOSFET
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如何通過基本描述找到需要的電容？
本文介紹了電容的基本描述，包含了其類型、尺寸、容值、容差和額定電壓。了解這些參數(shù)可以幫助你準(zhǔn)確地選擇和訂購所需的電容元件。
2024-12-28
電容
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低功耗嵌入式設(shè)計(jì)簡介
當(dāng)產(chǎn)品主要設(shè)計(jì)用于電池供電時(shí)，一切都會(huì)發(fā)生變化。小型電池存儲(chǔ)的能量非常有限，但消費(fèi)者想要非常緊湊（讀作“對(duì)于大尺寸電池來說太小”）并且不需要充電的高性能（讀作“高功率”）設(shè)備每二十分鐘。設(shè)計(jì)師要做什么？
2024-12-28
嵌入式設(shè)計(jì)
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