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MAX4996/MAX4996L:Maxim SDHC和SDIO復(fù)用三路DPDT開關(guān)
Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)MAX4996/MAX4996L,可切換多路高達670MHz的高頻信號。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為2.0Ω)、導(dǎo)通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA),從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻切換。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)
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TJ3-HT:Vishay新型環(huán)形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高溫電感器
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10:Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增強型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列,這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A,最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器
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MAX4983E/MAX4984E:Maxim高速USB DPDT開關(guān)
Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開關(guān)MAX4983E/MAX4984E,可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz),允許采用單個連接器實現(xiàn)高性能的切換。
2008-05-15
MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開關(guān)
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SMM4F:意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產(chǎn)品在三個主要方面提高性能:在小空間內(nèi)提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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SMM4F:意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管,新系列產(chǎn)品在三個主要方面提高性能:在小空間內(nèi)提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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TR8系列:Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容,采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 μF條件下),而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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STGxL6NC60D:意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT,新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi),應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠勝標準技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源
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STGxL6NC60D:意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT,新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi),應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠勝標準技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源
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