【導(dǎo)讀】依靠簡單的經(jīng)驗法則來評估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，例如電源解決方案開關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅(qū)動系統(tǒng)密度的負(fù)載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器件分開分析。先進(jìn)的封裝和3D電源封裝? (3DPP?) 技術(shù)可讓電源模塊密度匹配其服務(wù)的相應(yīng)系統(tǒng)、應(yīng)用和負(fù)載。
功率與體積密度
眾所皆知電源解決方案是最關(guān)鍵的因素，因為它影響著整體系統(tǒng)尺寸、體積效率、系統(tǒng)物料清單成本和功率密度。通常這些會被分解為系統(tǒng)的通用品質(zhì)因數(shù) (FOM)，例如尺寸、重量和功率（又名 SWaP），跟成本指標(biāo)相結(jié)合時也可稱為 SWaP-C 。功率密度通常是總可用功率與整體解決方案體積的函數(shù)，這就是為什么器件尺寸往往與功率密度呈反比。功率密度指標(biāo)更進(jìn)一步與整體解決方案質(zhì)量相結(jié)合，這在非連接應(yīng)用中可能是一個關(guān)鍵的 FOM，正如以下內(nèi)容中以多個角度探討的那樣。
將功率密度與體積密度區(qū)分開來是重要的，因為從電源解決方案的框架可以看出功率密度的特性，因為解決方案是整個系統(tǒng)體積的一個子集。一般來說功率密度會一直上升，而體積密度會隨著主要系統(tǒng)負(fù)載尺寸縮小而降低，或提升它們的功能性讓他們每一代都能以相同的體積做更多的工作，這與電源解決方案的趨勢不盡相同。業(yè)界試圖采取過于簡單且糟糕的指標(biāo)，例如每瓦美元價格（$/W）來讓這些趨勢差異標(biāo)準(zhǔn)化，除非是比較高度相似的電源否則這幾乎是沒有意義的。
就如審視任何電源解決方案和評估他們的技術(shù)影響和財務(wù)貢獻(xiàn)一樣，不能止步于一階分析。功耗和能源效率通常會是一場「打地鼠」游戲，優(yōu)化一個子系統(tǒng)可能會導(dǎo)致其他方面的性能下降；因此采取這種方法時，有效的系統(tǒng)級影響保持不變或甚至更糟。舉典型的例子來說，當(dāng)寬帶隙電源開關(guān)（例如氮化鎵或碳化硅）的功率密度增加時，電源系統(tǒng)的體積會變?。词构β侍幚砟芰τ刑岣撸?，因為開關(guān)頻率提升之后可以減少使用一些功率器件。然而，它也可能因此需要更大（并且可能更昂貴）的熱緩解方案來處理更小空間中更密集的功耗，甚至可能需要用到液體冷卻。它通常是「可有可無」的「小」功能，但會對解決方案的大小或成本產(chǎn)生不成比例的影響。例如，連接器（尤其是盲插型連接器）和風(fēng)扇可能是 SWaP-C 分析中所有 FOM 的重要貢獻(xiàn)者，因為它們可以很大，另外機(jī)電器件也是最大限度提高系統(tǒng)質(zhì)量和可靠性的瓶頸。
電源解決方案的擴(kuò)展速度不會跟我們在負(fù)載端觀察到的相同，例如推動負(fù)載端的摩爾定律和微機(jī)電系統(tǒng)設(shè)備。這意味著由于近一年的制程節(jié)點(diǎn)的改進(jìn)，系統(tǒng)路線圖無法規(guī)劃出讓電源解決方案尺寸以指數(shù)級減小的方法（或功率密度呈指數(shù)級增長）。也就是說，電源解決方案可以以自己的方式滿足不斷增長的負(fù)載需求，從而跟上負(fù)載尺寸和性能進(jìn)步的腳步。
功能集在功率密度中發(fā)揮著巨大作用
請看此電源上圖，其機(jī)箱蓋已卸下。這個盒子的大部份的空間看起來是被實(shí)際的電源器件占用，還是被連接器、接線、風(fēng)扇甚至散熱器和外殼（加上空白空間）占用呢？有時候，讓人感到驚訝的是電源傳輸系統(tǒng)對整體電源解決方案的體積的影響非常小，又增加了密度最大化的可能性。因此這就是為什么像 $/W 這樣的指標(biāo)不適合做為任何電源的評估項目，因為它不是在幾乎相同的基礎(chǔ)上做的（例如，電源的功能幾乎完全相同，唯一主要的區(qū)別是電源系統(tǒng)器件的額定功率）。
對安全認(rèn)證的需求以及為了能夠應(yīng)付高壓輸入（例如更多 2D 和 3D 的間距要求）和惡劣的操作環(huán)境，解決方案的密度會受到極大的影響。更嚴(yán)格的電磁兼容性 (EMC) 或沖擊和振動水平必須被滿足，例如需要網(wǎng)絡(luò)設(shè)備構(gòu)建系統(tǒng)認(rèn)證的應(yīng)用，體積會被較大的過濾器器件所占用，同時增強(qiáng)的機(jī)械支撐用來固定較大重量的器件。這可能需要一些粘合劑或密封劑（液體硅橡膠在室溫下固化，通常會使用「室溫硫化硅橡膠」(RTV)）、捆扎，甚至完全灌封（將溶液完全浸入環(huán)氧樹脂或聚合材料中促進(jìn)熱傳遞，實(shí)現(xiàn)電氣絕緣且避免器件暴露在外部環(huán)境中）。這些較大的器件和針對安全認(rèn)證、熱和環(huán)境的支持材料經(jīng)過改善都會增加解決方案的總重量，因此也會增加密度指標(biāo)。
考慮到綜合質(zhì)量和電源解決方案要承受的加速壽命測試，除了功能性的電氣平臺測試以外，還應(yīng)在設(shè)計階段就要考慮這些測試設(shè)定和合格要求以及它們?nèi)绾斡绊憸y試計劃。如果是進(jìn)行一項長期且昂貴的驗證測試（以金錢和規(guī)劃時間來看），雖然目標(biāo)是要確保一次通過，但如果是更大或更復(fù)雜的設(shè)計的話就可能會更頻繁遭受失敗而受到阻礙，而故障分析時要有盡職調(diào)查器件和部件的能力，這樣才能采取適當(dāng)?shù)某C正措施。
密度驅(qū)動的電源解決方案之SWaP改進(jìn)機(jī)會
驅(qū)動 SWaP 指標(biāo)的最大貢獻(xiàn)者也最有機(jī)會改進(jìn)相關(guān) FOM。這些主要貢獻(xiàn)者是過濾器器件、機(jī)電組件以及支撐這些較大或易松動器件的重量所需的任何事物。識別這些因素，然后將器件以及其對系統(tǒng)設(shè)計的貢獻(xiàn)隔離出來，以讓設(shè)計人員將整體優(yōu)化的目標(biāo)集中在子任務(wù)和驗證測試上。
計算和選擇濾波器器件以滿足 EMC 要求通常是首要關(guān)注的項目。大電容器以及尺寸更大密度更高的磁性器件通常是罪魁禍?zhǔn)?。然而令人驚訝的是，尋求優(yōu)化的時候它們往往受到較少的關(guān)注，因為許多設(shè)計師對濾波器設(shè)計不太滿意。雖然濾波器設(shè)計是很主觀的而且在更復(fù)雜的解決方案中可能是一門藝術(shù)，但只要設(shè)計人員與電源設(shè)計或驗證有點(diǎn)關(guān)聯(lián)，我們也強(qiáng)烈建議要有濾波器設(shè)計和優(yōu)化的基本培訓(xùn)。在過濾器器件的 FOM（更好的性能往往是更大、更重的器件）和可接受的產(chǎn)品符合性（通常是指輻射水平）之間存在關(guān)鍵的權(quán)衡。
注意：在特定頻率處理，不需要能量的最佳方法是緩解。換句話說，嘗試先優(yōu)化設(shè)計以消除或減少噪聲源，然后再將注意力放在濾波上以捕捉和處理這些情況。舉例來說，功率驅(qū)動器或控制器支持?jǐn)U頻時鐘來幫助能量分散到更寬的頻譜中，如此就能減少對大型濾波的需求。
分解電源子系統(tǒng)也是一種提高密度的好方法。在討論集成能提高密度指標(biāo)時，分離電源解決方案的做法似乎有點(diǎn)違反直覺，但是若試圖將太多功能塞入一個解決方案時有可能會達(dá)到收益遞減點(diǎn)。特別是考慮到電源設(shè)計所有的關(guān)鍵點(diǎn)和變量，有時采取「分治法」可能更有意義。比如系統(tǒng)電源軌在輸入端需要寬范圍，在輸出端需要隔離或嚴(yán)格調(diào)節(jié)，獨(dú)立解決方案可能最為合適，一個針對輸入比例進(jìn)行優(yōu)化，而另一個則針對調(diào)節(jié)或隔離。另一個常見的例子是將大型單相轉(zhuǎn)換器改為較小的多相轉(zhuǎn)換器，由于每個轉(zhuǎn)換器處理的功率較小所以能夠使用更小的器件、降低電和熱應(yīng)力，甚至有機(jī)會提高開關(guān)頻率以進(jìn)一步改進(jìn)器件的 FOM。
無論是優(yōu)化濾波、單個器件，還是最有效的分解解決方案，肯定有各種方法幫助設(shè)計人員實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，同時也利用最先進(jìn)的技術(shù) (SOTA) 尤其是商用現(xiàn)成 (COTS) 的解決方案。3D電源封裝? (3DPP?) 領(lǐng)域的重大進(jìn)步，尤其是對低壓 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換器而言，這是最佳的選擇。先進(jìn)的封裝技術(shù)促進(jìn)了電源轉(zhuǎn)換和電源管理解決方案，能夠利用上面列出的許多 SOTA 技術(shù)并將它們集合到高密度集成器件中。特別是濾波器器件，以平面磁體、模具封裝和多芯片模塊的形式異構(gòu)集成到電源模塊之中。3DPP?能讓這些最好的技術(shù)為 SWaP 優(yōu)化做出貢獻(xiàn)，同時享有使用 COTS 解決方案的好處。
結(jié)論
電源解決方案不受摩爾定律定義，尤其是在考慮主導(dǎo)著 SWaP-C 指標(biāo)的儲能設(shè)備的時候，而指標(biāo)又確定了功率密度和整體系統(tǒng)密度的關(guān)鍵點(diǎn)。封裝往往是一個非常大的驅(qū)動力，它能夠幫助電源解決方案（特別是模塊和其他現(xiàn)成產(chǎn)品）跟上負(fù)載端密度的進(jìn)步。
僅僅為了改善指標(biāo)（如 W/m3）而追求功率密度可能會帶來很高的代價，伴隨著許多項目之間的權(quán)衡，從增加成本和開發(fā)時間到降低效率和可靠性。重要的是將所需功能帶來的真正影響對比它對成本、空間和效率（當(dāng)然還有項目進(jìn)度）的影響，然后評估在當(dāng)前的應(yīng)用上執(zhí)行是否合理。
話雖如此，也有談過如何通過先進(jìn)封裝提高密度以及利用 3DPP?技術(shù)和自動化制程來改善 SWaP-C 指標(biāo)，因此事情都不是絕對的。增加設(shè)計復(fù)雜性的風(fēng)險在于通常會導(dǎo)致制造產(chǎn)量下降（或增加返工從而降低生產(chǎn)速度并增加成本），但自動化的封裝制程或許能夠?qū)崿F(xiàn)更嚴(yán)格控制流程的高度集成解決方案，從而提高可靠性并推動電源模塊密度。越來越多使用平面磁體就是一個很好的例子。
增加功率密度往往會給熱緩解措施帶來更多挑戰(zhàn)。越多的熱量被困在越小的空間中，就越難以有效地將熱量散開并傳導(dǎo)到周圍環(huán)境。若無法有效地將熱量傳遞出去時，器件會出現(xiàn)更大的溫升進(jìn)而導(dǎo)致可靠性下降。因此很重要的是要考慮電源設(shè)計對系統(tǒng)的整體影響，以確保追求電源模塊密度時不會犧牲其他的 SWaP-C 目標(biāo)。特別是預(yù)測溫度和質(zhì)量相關(guān)的產(chǎn)品壽命時，密度會影響保修分析和支持費(fèi)用。
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