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OptiMOS系列：英飛凌推出200V和250V器件
英飛凌近日推出200V和250V OptiMOS系列器件。相對(duì)于其他同類(lèi)產(chǎn)品，很低的優(yōu)質(zhì)化系數(shù)（FOM）使OptiMOS 200V和250V系列器件的通態(tài)電阻RDS(on)降低了50％，該公司并未透露FOM的具體數(shù)值。該系列器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、UPS和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
2010-02-02
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iCharge DX：日本廠(chǎng)商推出便攜式太陽(yáng)能充電器
由日本周邊廠(chǎng)商Linksinternational推出一款便攜式太陽(yáng)能充電器“iCharge DX”，這款多功能充電器適用于各種主機(jī)，用途包括DS Lite/DSi/DSi LL/PSP、iPhone/iPod touch、各種便攜式電子設(shè)備。
2010-02-01
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英飛凌推出新一代多模HSPA+射頻收發(fā)器SMARTiTM UE2
英飛凌無(wú)線(xiàn)解決方案部副總裁兼智能手機(jī)與射頻業(yè)務(wù)分部總經(jīng)理Stefan Wolff指出：“SMARTi UE2顯著改善了所有關(guān)鍵性能指標(biāo)：成本、尺寸、功耗和射頻性能。我們成熟、領(lǐng)先的射頻技術(shù)，可確保客戶(hù)開(kāi)發(fā)出外形極其靈活、電池壽命更長(zhǎng)的全新智能手機(jī)和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備?！?/p>
2010-01-29
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AUIRF7739L2/7665S2: IR 推出適用于汽車(chē)的DirectFET 2功率MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天推出適用于汽車(chē)的AUIRF7739L2 和AUIRF7665S2 DirectFET?2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車(chē)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。
2010-01-29
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LED與OLED未來(lái)潛力巨大成本下降仍需時(shí)間
根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)SBI(SpecialistsinBusinessInformation)預(yù)估，全球LED與OLED現(xiàn)今市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)超過(guò)50億美元，而美國(guó)就占據(jù)了10億美元市場(chǎng)值。這比起2007年足足成長(zhǎng)50%以上。SBI進(jìn)一步預(yù)估，2013年全球LED與OLED市場(chǎng)規(guī)模將可達(dá)140億美元，而美國(guó)可達(dá)30億美元之市場(chǎng)規(guī)模。
2010-01-29
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OptiMOSTM系列：英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V 器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源（UPS）和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。憑借同類(lèi)器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(shù)（FOM），OptiMOS 200V和250V技術(shù)可使系統(tǒng)設(shè)計(jì)的導(dǎo)通損耗降低一半。
2010-01-27
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無(wú)縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精湛的工藝技術(shù)，因?yàn)樗峭?lèi)流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設(shè)備設(shè)計(jì)在設(shè)計(jì)程度上新的級(jí)別。
2010-01-27
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微機(jī)電運(yùn)動(dòng)傳感器淺談
MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器囊括多種傳感器技術(shù)。用來(lái)測(cè)量物體加速度的傳感器叫做加速度傳感器（加速度計(jì)）；用來(lái)測(cè)量物體角速度的傳感器叫做角速度傳感器（陀螺儀）；也有將二者相結(jié)合的慣性測(cè)量單元（IMU；Inertial Measurement Unit）。另外，還有測(cè)量高度變化的氣壓計(jì)，以及感測(cè)絕對(duì)方向的電子羅盤(pán)。
2010-01-27
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X-Fest 2010研討會(huì)深圳站結(jié)束 Spartan-6應(yīng)用受關(guān)注
1月21日，安富利電子元件 (Avnet Electronics Marketing) 與賽靈思公司（Xilinx, Inc.）攜手舉辦的X-Fest 2010系列研討會(huì)深圳站活動(dòng)圓滿(mǎn)結(jié)束。至此，整個(gè)中國(guó)大陸四站活動(dòng)全部結(jié)束，中國(guó)大陸四站總共吸引聽(tīng)眾1400多人。
2010-01-26
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TI推出降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool NexFET 功率MOSFET有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。
2010-01-21
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面向高電流DC/DC應(yīng)用、降低上表面熱阻的功率MOSFET
TI 高級(jí)副總裁兼電源管理全球經(jīng)理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶(hù)需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿(mǎn)足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)對(duì)處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿(mǎn)足這一需求。”
2010-01-18
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