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使用霍爾效應(yīng)傳感或磁場(chǎng)傳感技術(shù)的應(yīng)用
隨著支持技術(shù)的增強(qiáng)，使用霍爾效應(yīng)傳感或磁場(chǎng)傳感技術(shù)的應(yīng)用目前已變得有效。本技術(shù)文檔介紹了霍爾效應(yīng)技術(shù)，并對(duì)應(yīng)用進(jìn)行了回顧，特別是區(qū)分霍爾傳感器 IC 的主要類(lèi)型以及它們可以支持的各種傳感行為。此外，它還探討了一些使能技術(shù)，例如信號(hào)處理方面的進(jìn)步，這些技術(shù)使該技術(shù)比早期更加強(qiáng)大。這使得非接觸式霍爾應(yīng)用的極高可靠性?xún)?yōu)勢(shì)能夠在比以往更廣泛的范圍內(nèi)得到應(yīng)用。
2023-10-12
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Microchip FPGA采用量身定制的PolarFire FPGA和SoC解決方案協(xié)議棧
為智能邊緣設(shè)計(jì)系統(tǒng)正面臨前所未有的困難。市場(chǎng)窗口在縮小，新設(shè)計(jì)的成本和風(fēng)險(xiǎn)在上升，溫度限制和可靠性成為雙重優(yōu)先事項(xiàng)，而對(duì)全生命周期安全性的需求也在不斷增長(zhǎng)。要滿(mǎn)足這些同時(shí)出現(xiàn)的需求，需要即時(shí)掌握特殊技術(shù)和垂直市場(chǎng)的專(zhuān)業(yè)知識(shí)。沒(méi)有時(shí)間從頭開(kāi)始。Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布在其不斷增長(zhǎng)的中端FPGA和片上系統(tǒng)（SoC）支持系列產(chǎn)品中增加了九個(gè)新的技術(shù)和特定應(yīng)用解決方案協(xié)議棧，涵蓋工業(yè)邊緣、智能嵌入式視覺(jué)和邊緣通信。
2023-10-11
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貿(mào)澤電子推出新一期EIT計(jì)劃，共同探索環(huán)境傳感器前沿技術(shù)和應(yīng)用
2023年10月10日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)新，EIT）計(jì)劃推出最新一期內(nèi)容，在本期中重點(diǎn)介紹了環(huán)境傳感器。貿(mào)澤通過(guò)文章、博客、視頻和《科技在你我之間》播客等技術(shù)內(nèi)容，深入探究了推動(dòng)環(huán)境傳感器發(fā)展成熟的技術(shù)和應(yīng)用，以及如何借助這些設(shè)備來(lái)打造室內(nèi)空氣質(zhì)量監(jiān)控解決方案。
2023-10-11
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意法半導(dǎo)體發(fā)布安全軟件，保護(hù)STM32邊緣AI設(shè)備連接AWS IoT Core的安全
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)日前在STM32Cube開(kāi)發(fā)工具包內(nèi)新增一款軟件，以簡(jiǎn)化高性能物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備與AWS云的連接。
2023-10-11
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高壓數(shù)字控制應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)安全隔離與低功耗的解決方案
在高壓應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)有效的電氣隔離至關(guān)重要，它可以避免多余的漏電流在系統(tǒng)中具有不同地電位（GPD）的兩個(gè)部分之間流動(dòng)[1]。如圖1（左）所示，從輸入到輸出的DC返回電流可能導(dǎo)致兩個(gè)接地之間產(chǎn)生電位差，從而導(dǎo)致信號(hào)完整性降低、質(zhì)量下降。這就是隔離器（即隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器IC[2]或數(shù)字隔離器）的用武之地，如圖1（右）所示。隔離器通過(guò)阻止電路兩部分之間的DC和不受控的AC電流流動(dòng)，僅允許通信信號(hào)和功率通過(guò)隔離屏障。此外，隔離器還為人與高壓系統(tǒng)的交互提供了必要的保護(hù)，并提供了電平轉(zhuǎn)換功能，使不同電壓級(jí)別的系統(tǒng)之間可以互動(dòng)。
2023-10-10
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利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能
電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方面的技術(shù)進(jìn)步為我們開(kāi)啟了許多大門(mén)。例如在運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中，更高精度、效率和控制能力給用戶(hù)體驗(yàn)性和安全性、資源優(yōu)化以及環(huán)境友好性等方面帶來(lái)了諸多好處。無(wú)刷電機(jī)技術(shù)的引入則是業(yè)界朝著全面提升效率邁出的重要一步。
2023-10-09
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如何正確裝配VE-Trac Direct / Direct SiC？這篇文章帶你從入門(mén)到精通！
本文檔旨在介紹如何正確裝配所有 VE-Trac Direct 系列的模塊，包括將散熱器貼裝到功率模塊以及將功率模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器印刷電路板裝配所需的推薦工具、材料和組件。
2023-10-08
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如何在大功率應(yīng)用中減少損耗、提高能效并擴(kuò)大溫度范圍
功耗密集型應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要更小、更輕、更節(jié)能的電源轉(zhuǎn)換器，能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動(dòng)汽車(chē) (EV) 等應(yīng)用中尤其如此，若能實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)，可加快充電速度、延長(zhǎng)續(xù)航里程。為了實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)，設(shè)計(jì)人員目前使用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的電源轉(zhuǎn)換器，例如碳化硅 (SiC) 電源轉(zhuǎn)換器。
2023-10-08
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芯力特Mini LIN SBC SIT1028Q應(yīng)用方案
SIT1028Q是一款內(nèi)部集成高壓LDO穩(wěn)壓源的本地互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)（LIN）物理層收發(fā)器，可為外部ECU（Electronic Control Unit）微控制器或相關(guān)外設(shè)提供穩(wěn)定的5V/3.3V電源，該LIN收發(fā)器符合LIN2.0、LIN2.1、LIN2.2、LIN2.2A、ISO 17987-4:2016 (12V) 和SAE J2602標(biāo)準(zhǔn)。主要適用于使用1kbps至20kbps傳輸速率的車(chē)載網(wǎng)絡(luò)。SIT1028Q的LIN總線(xiàn)輸出引腳具有內(nèi)部上拉電阻，具有總線(xiàn)輸出波形整形功能以減少電磁輻射（EME）。SIT1028Q以TXD引腳作為輸入端，將微控制器的低壓信號(hào)發(fā)送至LIN總線(xiàn)，同時(shí)LIN引腳接收總線(xiàn)上的數(shù)據(jù)流，并由接收器的輸出引腳RXD將數(shù)據(jù)傳回微控制器或傳送到其它微控制器。
2023-10-07
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通過(guò) SPICE 仿真預(yù)測(cè) VDS 開(kāi)關(guān)尖峰
電源行業(yè)的主要目標(biāo)之一是為數(shù)據(jù)中心和5G等應(yīng)用中的電源設(shè)備帶來(lái)更高的電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度。與具有單獨(dú)驅(qū)動(dòng)器 IC 的傳統(tǒng)分立 MOSFET 相比，將驅(qū)動(dòng)器電路和功率 MOSFET（稱(chēng)為 DrMOS）集成到 IC 中可提高功率密度和效率。
2023-10-07
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Wi-Fi的發(fā)展歷程和Richtek在Wi-Fi 7中的電源解決方案
Wi-Fi 在 1999 年就出現(xiàn)了，但 Wi-Fi 6 是 2018 年才誕生的一個(gè)名詞，在此之前并無(wú) Wi-Fi 5 之類(lèi)的更早的東西，那時(shí)的我這樣的普通人只能看著 Wi-Fi 設(shè)備上寫(xiě)的符合 IEEE 802.11/a/b/g 之類(lèi)的字符串，完全不知道在說(shuō)什么，直到 Wi-Fi 聯(lián)盟覺(jué)得應(yīng)該用一個(gè)簡(jiǎn)單的數(shù)字來(lái)讓我們有一個(gè)清晰的代際劃分，這才有了 Wi-Fi 4~6 的出現(xiàn)，它們其實(shí)就是 IEEE 802.11 無(wú)線(xiàn)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的一個(gè)實(shí)現(xiàn)，所以我覺(jué)得這個(gè)東西就是先有了兒子才有了父親，然后現(xiàn)在孫子又出來(lái)了，那就是 Wi-Fi 7。
2023-10-06
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以更小封裝實(shí)現(xiàn)更大開(kāi)關(guān)功率，Qorvo SiC FET如何做到的？
每隔一段時(shí)間便會(huì)偶爾出現(xiàn)全新的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)；當(dāng)這些技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)時(shí)，便會(huì)產(chǎn)生巨大的影響。使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙材料的器件技術(shù)無(wú)疑已經(jīng)做到了這一點(diǎn)。與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品相比，這些寬帶隙技術(shù)材料在提升功率轉(zhuǎn)換效率和縮減尺寸方面都有了質(zhì)的飛躍。
2023-10-05
- 差分振蕩器設(shè)計(jì)的進(jìn)階之路：性能瓶頸突破秘籍
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