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模擬集成電路的新發(fā)展
本文主要講解的內(nèi)容是模擬集成電路的新發(fā)展，模擬電路當(dāng)前呈現(xiàn)出三個(gè)突出趨勢:高性能分立器件、模數(shù)混合和SOC (System on Chip系統(tǒng)芯片)。模擬集成電路種類繁多，其性能要求也各不相同。追求更高的性能將是模擬器件未來主要的發(fā)展方向。
2013-03-23
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TI無傳感器的的Insta SPIN-FOC電機(jī)控制
德州儀器推出無傳感器的內(nèi)嵌FAST軟件編碼器算法的Insta SPIN-FOC電機(jī)控制方案，F(xiàn)AST軟件編碼器算法只需很少的基本電機(jī)參數(shù)，可以替代原有電機(jī)傳感器以及現(xiàn)有軟件觀測器，不用調(diào)試觀察器，運(yùn)行時(shí)可自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)補(bǔ)償。
2013-03-19
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一種新的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制策略
本文基于混沌現(xiàn)象的寬頻譜特性提出了一種新的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制策略。首先推導(dǎo)了能夠產(chǎn)生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式，然后利用混沌序列對電流滯環(huán)控制策略的電流參考值進(jìn)行擾動(dòng)。從而擴(kuò)展了電感電流的功率譜，降低了在開關(guān)頻率及其諧波頻率上發(fā)射的電磁干擾。
2013-03-19
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金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的簡介
本文主要講解的內(nèi)容是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管的簡介，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），簡稱金氧半場效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。
2013-03-16
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ST推出高性能獨(dú)立式微型3軸磁力計(jì)
ST MEMS傳感器產(chǎn)品組合新增一款高性能獨(dú)立式微型3軸磁力計(jì)。高性能磁力計(jì)完善磁力傳感器、加速度傳感器和陀螺儀傳感器產(chǎn)品組合，設(shè)計(jì)靈活性達(dá)到最高水平。
2013-03-15
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ST推出接近傳感器，解決智能手機(jī)意外斷線問題
ST開發(fā)出一款獨(dú)有的傳感器系統(tǒng)，采用一項(xiàng)突破性的接近檢測技術(shù)，能夠非常精確且可靠地檢測智能手機(jī)與用戶之間的距離，并采用光電感應(yīng)技術(shù)減少電話斷線。
2013-03-15
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電機(jī)控制——開關(guān)磁阻電機(jī)與有刷直流電機(jī)
對于功率較低的應(yīng)用而言，ST面向步進(jìn)電機(jī)的新型高集成度控制器/驅(qū)動(dòng)器IC可以為步進(jìn)電機(jī)實(shí)現(xiàn)更順暢的運(yùn)轉(zhuǎn)和更高的定位精度。面向PMSM、PMAC和感應(yīng)電機(jī)（其采用高性能微控制器、功率晶體管與高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC）的磁場定向控制（FOC）軟件的發(fā)展?jié)M足了對更高效率的需求。
2013-03-13
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應(yīng)用質(zhì)量流量傳感器在煤焦化的生產(chǎn)
流量計(jì)計(jì)量單位通常采用體積流量和質(zhì)量流量兩種，本文就ST98型質(zhì)量流量計(jì)在高空大口徑管道上的一些安裝技巧以及調(diào)試過程中需要注意的一些問題進(jìn)行總結(jié)。
2013-03-12
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航空障礙燈簡介
航空障礙燈（Aviation Obstruction light）按國家標(biāo)準(zhǔn)，頂部高出其地面45米以上的高層建筑必須設(shè)置航標(biāo)燈。
2013-03-07
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MEMS
MEMS是微機(jī)電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical Systems）的英文縮寫。MEMS是美國的叫法，在日本被稱為微機(jī)械，在歐洲被稱為微系統(tǒng)，它是指可批量制作的，集微型機(jī)構(gòu)、微型傳感器、微型執(zhí)行器以及信號(hào)處理和控制電路、直至接口、通信和電源等于一體的微型器件或系統(tǒng)。MEMS是隨著半導(dǎo)體集成電路微細(xì)加工技術(shù)和超精密機(jī)械加工技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展起來的，目前MEMS加工技術(shù)還被廣泛應(yīng)用于微流控芯片與合成生物學(xué)等領(lǐng)域，從而進(jìn)行生物化學(xué)等實(shí)驗(yàn)室技術(shù)流程的芯片集成化。
2013-03-01
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IGBT是什么？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2013-02-22
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第十一屆中國深圳國際智能手機(jī)科技展覽會(huì)
第十一屆中國（深圳）國際手機(jī)科技展覽會(huì)簡稱“MOBILECHIAN”是由深圳市政府主辦，深圳中瑞會(huì)展承辦的大型手機(jī)行業(yè)及產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)?huì)。為此每年一屆的手機(jī)展均受到了業(yè)界極大關(guān)注，并且獲得了各大媒體和全球產(chǎn)業(yè)界的認(rèn)可. 已經(jīng)成為中國手機(jī)產(chǎn)業(yè)的第一品牌展會(huì). 它為移動(dòng)終端產(chǎn)業(yè)提供了一個(gè)全球性、專業(yè)化信息發(fā)布平臺(tái)，剖析全球手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)移趨勢和發(fā)展方向TCL、國虹、天語、宇龍酷派、萬利達(dá)、高威爾、金立、港利通、紐曼、 天瓏、多普達(dá)、宇陽、展訊、京維天、華勤、同洲、優(yōu)思、至尊寶、MStar、國虹、三木等300多家手機(jī)終端廠商暨以產(chǎn)業(yè)鏈為代表的信利、歐菲光、牧東、宇順、汕頭超聲、觸控、業(yè)際、長江力偉、新濟(jì)達(dá)、同興達(dá)、航泰、嵩達(dá)、點(diǎn)面 400多家產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商參展。1000多家手機(jī)廠商及42136多個(gè)行業(yè)內(nèi)人士參觀。
2013-02-20
- IOTE 2025深圳物聯(lián)網(wǎng)展：七大科技領(lǐng)域融合，重塑AIoT產(chǎn)業(yè)生態(tài)
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