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SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析

發(fā)布時間:2023-07-12 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】大多數(shù)功率模塊包含一個NTC溫度傳感器,通常它是一個負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻,隨著溫度的增加其電阻會降低。因為其成本較低,NTC熱敏電阻可以作為功率模塊溫度測量和過溫保護(hù)的器件,但是其它器件如PTC正溫度系數(shù)電阻是更適合用來做具體的溫度控制應(yīng)用。使用溫度傳感器的信息相對比較容易,但是需要注意系統(tǒng)內(nèi)涉及到安全的考慮。


大多數(shù)功率模塊包含一個NTC溫度傳感器,通常它是一個負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻,隨著溫度的增加其電阻會降低。因為其成本較低,NTC熱敏電阻可以作為功率模塊溫度測量和過溫保護(hù)的器件,但是其它器件如PTC正溫度系數(shù)電阻是更適合用來做具體的溫度控制應(yīng)用。使用溫度傳感器的信息相對比較容易,但是需要注意系統(tǒng)內(nèi)涉及到安全的考慮。

一.模塊內(nèi)部的NTC熱敏電阻概要

NTC熱敏電阻器是放置在靠近功率管芯的位置,在相同的陶瓷襯底上,如圖1


SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析

圖1 NTC熱敏電阻在襯底上的位置


由于自身發(fā)熱可以忽略,NTC熱敏電阻保持幾乎和功率模塊的CASE相同的溫度,同時,因為功率模塊CASE到heatsink的熱阻RCS一般來說非常小,所以測量的溫度一般是和heat sink溫度比較接近。NTC熱敏電阻通常不用于監(jiān)控功率模塊的結(jié)溫,因為它將需要被集成到功率die中,而不是這里的CASE部分,相反,結(jié)溫可以基于NTC熱敏電阻溫度,和CASE到heat sink熱阻去估計,接下來會討論。

NTC熱敏電阻是非常有用的,因為如下特性:作為保護(hù)電源系統(tǒng)免于由于過熱或者過冷的系統(tǒng)故障,低成本,比熱電偶更加的敏感的響應(yīng),容易使用,不受噪聲影響,溫度范圍和功率模塊運行溫度范圍比較匹配等。一個NTC熱敏電阻具有一個時間常數(shù),大概為幾秒鐘,意味著它需要幾秒鐘去檢測到功率模塊內(nèi)部的溫度改變事件。

因為它的響應(yīng)較慢,NTC熱敏電阻不適合檢測溫度的快速改變,因此可以僅僅用于基于溫度慢速改變而保護(hù)系統(tǒng),NTC熱敏電阻不能用于短路或者過流保護(hù),NTC熱敏電阻的響應(yīng)是指數(shù)型的,盡管它具有非線性,NTC熱敏電阻對于模塊溫度測量還是很有用的,原因如下:

簡單的門限電路可以用來表示一個過溫條件,接下來會討論。指數(shù)響應(yīng)可以被模擬電路處理,或者基于數(shù)字控制系統(tǒng)的軟件處理。

二.模塊內(nèi)部的NTC電路設(shè)計方法

用于功率模塊的NTC的熱敏電阻具有如下的特性,如圖2所示,

1.25C下的電阻為22kohm,50kohm。
2.B25/85的曲線擬合常數(shù)分別為3980K,3952K。
3.NTC熱敏電阻響應(yīng)方程如下,RT是熱敏電阻阻抗,T是開爾文溫度,T25是25C下的開爾文溫度,298.15K。


SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
圖2 NTC熱敏電阻的典型特性



SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
圖3 NTC熱敏電阻的指數(shù)響應(yīng)方程



SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
圖4 NTC熱敏電阻比較器電路


NTC熱敏電阻可以容易的用于模塊保護(hù)場景,而不計算實際的熱敏電阻溫度,比較跨過NTC熱敏電阻的電壓和一個參考電壓,如果它變得太熱就停止模塊工作,以減小模塊失效的風(fēng)險。如果NTC熱敏電阻放置在電阻分壓器的下端,如圖4,隨著NTC熱敏電阻的溫度增加,輸入比較器的電壓從供電電壓VREF1降低到比較器觸發(fā)電壓VREF2。

假定溫度觸發(fā)電壓需要設(shè)置在100C,比較器處的電壓分壓設(shè)置在參考電壓的一半,如VREF1/2,上面的電阻R1需要設(shè)置為和NTC在100C時的阻抗相同,熱敏電阻阻值在給定的溫度下可以使用圖3的方程1計算,或者按照查表方式得到。在這個例子下,100C時,RT=T1=3.43kohm,如果熱敏電阻溫度低于100C,比較器輸出是高電平,如果熱敏電阻溫度高于100C,比較器的輸出狀態(tài)是低電平的。

熱敏電阻NTC的位置和R1可以交換,在這個例子下,隨著溫度的增加,輸入比較器的電壓從0V增加到觸發(fā)電壓VREF2,不管R1和NTC熱敏電阻的位置如何,其時間常數(shù)和噪聲免疫度是固定的。實際應(yīng)用中,比較器需要一個滯環(huán),電阻R1和R2需要調(diào)整一下設(shè)置一定量的滯環(huán)電壓,滯環(huán)基于比較器的輸出擺幅,通過R1//RT并聯(lián)和R2的分壓決定,假定比較器的輸出擺幅是Rail to Rail的,如圖2所示,可以計算滯環(huán)。


SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
圖5 計算比較器滯環(huán)電阻


為了增加NTC熱敏電阻的噪聲敏感度,這里顯示在額定溫度下幾千ohm的電阻,推薦去并聯(lián)一個電容,這個電容在圖4中是C1,必須要在10-100nF之間,即使使用100nF去耦電容,25C下的時間常數(shù)僅僅只有320微秒,它可以確保一個非常高噪聲敏感度,并且遠(yuǎn)低于NTC熱敏電阻本身的時間常數(shù)的1000倍。在大多數(shù)的情況下,10nF去耦電容是確保噪聲敏感度的足夠的容值。

需要注意一點,不管溫度是多少,熱敏電阻的最大功率不能超過20mW,以此確保溫度測量不受到自熱的影響。


解方程1,得到開爾文溫度,如公式2,


SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
圖6 計算開爾文溫度


我們?nèi)糁繠25/85和T25,R25的值,例如3952K,298.15K,50K等,一旦我們確定了RT的值,我們就可以計算溫度,參考圖4,VT電壓是跨過NTC熱敏電阻的電壓,計算如圖7,這很容易。一個溫度對應(yīng)一個RT值,對應(yīng)一個電壓分壓。


SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
圖7 計算熱敏電阻電壓VT


最終,我們可以解出熱敏電阻阻值,RT為如下,注意如果R1具有中性的溫度系數(shù),則計算精度會改善。最終方程4可以帶入到方程2,去計算得到熱敏電阻的開爾文溫度。


SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
圖8 計算熱敏電阻阻值


SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
圖9 計算熱敏電阻溫度


基于方程5的結(jié)果,可以將開爾文溫度轉(zhuǎn)化為攝氏度,通過減去273.15實現(xiàn)。方程5看起來相當(dāng)復(fù)雜,但是可以通過數(shù)字控制系統(tǒng)中的MCU或者DSP來簡單的解出來,方程5可以用一個excel程序去創(chuàng)建一個表格,存儲在頭文件中,減小數(shù)字控制器中的溫度計算的運行時間,NTC熱敏電阻保持和功率模塊CASE相同的溫度,因此熱敏電阻可以簡易的用作功率模塊基板CASE溫度Tc。

總的來說,對于NTC熱敏電阻來說,一個溫度對應(yīng)一個電阻,而基于電阻就可以確定比較器電壓,根據(jù)這個關(guān)系最終可以反推出實際測量溫度。

知道模塊的case溫度Tc,Jc熱阻,每一個die的功耗,功率模塊die的溫度可以使用如下公式計算得到,


SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析


,Heat sink溫度可以用如下公式計算,


SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析


,由于越往外溫度越低,可以得到,這里THS是heat sink溫度,P是模塊的功耗,RCS是case到heat sink的熱阻。

因為功率模塊的case到heat sink的熱阻RCS一般是很小的,熱敏電阻的溫度可以認(rèn)為接近heat sink的溫度,如果合適,-5到-10C的糾正可以從溫度測量中減掉,去估計heat sink的溫度,例如,基于0.1C/W的case到heat sink熱阻,需要用糾正10C對應(yīng)于100W的模塊的功耗。

三.使用NTC電阻在系統(tǒng)安全上的考慮

極限條件下的等離子氣體產(chǎn)生,使得模塊內(nèi)部嚴(yán)重?fù)p壞,導(dǎo)致功率管芯損壞,等離子體氣體的傳播是不可預(yù)測的,它可能接觸到NTC熱敏電阻,將它置于危險的高壓下。使用NTC熱敏電阻的溫度監(jiān)控顯示出這部分電路具有潛在暴露在高壓中的風(fēng)險,系統(tǒng)設(shè)計者需要去確保通過合適的測量,去提供可靠的絕緣。

以下是一些例子,可以獲得好的絕緣,

1.NTC熱敏電阻用于比較器電路,它和控制邏輯通過光耦隔離,通常來說,其它保護(hù)如短路,過流,過溫等都基于開關(guān)電平切換執(zhí)行,故障信號可以疊加在一起,通過相同的光耦來傳輸。

2.完整的系統(tǒng)通過合適的材料或者保護(hù)罩覆蓋。

3.每一個應(yīng)用都是獨特的,設(shè)計者必須采取最高效的方式去確保系統(tǒng)操作者的安全。

總結(jié),上述文章簡單分析了碳化硅功率模塊內(nèi)部的NTC電路的設(shè)計思路和注意事項,可以對碳化硅功率模塊的這一溫度保護(hù)特性得到比較全面的認(rèn)識。

參考文獻(xiàn),APT0406 ,Using NTC Temperature Sensor Integrated in Power Module

(來源:電源漫談)


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