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驅(qū)動器源極引腳的效果：雙脈沖測試比較
在上一篇文章中，我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文中，我們將通過雙脈沖測試來確認驅(qū)動器源極引腳的效果。
2022-06-24
驅(qū)動器 源極引腳 雙脈沖測試
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利用PMBus數(shù)字電源系統(tǒng)管理器進行電流檢測——第二部分
本文第二部分介紹如何測量高壓或負供電軌上的電流，以及如何為IMON檢測方法設(shè)置配置寄存器。本文闡述了測量電流的精度考慮因素，并提供了使用LTpowerPlay?進行器件編程的相關(guān)說明。在第一部分，我們介紹了電流檢測的基本概念，包括各種方法和電路拓撲。
2022-06-24
PMBus 數(shù)字電源系統(tǒng) 電流檢測
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消除ISO 26262功能安全認證過程中的各種障礙
現(xiàn)今，汽車的各種應用中無不使用數(shù)百到數(shù)千種半導體和其他組件，例如觸摸界面、車載充電器、電池管理系統(tǒng)等等。嚴格的國際標準化組織（ISO）26262功能安全規(guī)范可確保這些日益復雜和精密的應用安全運行。然而，開發(fā)合規(guī)設(shè)計及獲得認證的過程十分耗時且成本高昂。隨著半導體行業(yè)為汽車原始設(shè)備制造商...
2022-06-23
ISO 26262 Microchip 汽車應用
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基于功率電感飽和特性要求的電感設(shè)計與選型優(yōu)化
分析了功率電感飽和特性產(chǎn)生的原因，并且提出一個假設(shè)模型解釋飽和特性與電感內(nèi)部氣隙寬度之間的關(guān)系并且由此說明軟飽和特性和硬飽和特性的產(chǎn)生即由此關(guān)系決定。從電感的飽和特性出發(fā)通過建立內(nèi)部設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù)并由此得出最優(yōu)化的設(shè)計選擇，通過設(shè)計示例反映不同的設(shè)計出發(fā)點下對應的性能指標差異...
2022-06-23
功率電感 飽和特性 選型
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安森美被納入標普500指數(shù)
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，在美國時間6月21日開盤交易前被納入標普500?指數(shù)。安森美被納入該指數(shù)緊接著公司在2021年的財政年度收入達到有史以來最高的67.4億美元，同比增長28.3%，且最近還獲認定入榜《財富》美國500強。
2022-06-22
安森美 ADAS 替代能源
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DC-DC升壓穩(wěn)壓器外圍元器件的選擇與優(yōu)化
在便攜和可穿戴設(shè)備等電池供電的低電壓應用中，常有一些功能需要較高的電壓才能工作，例如射頻收發(fā)器、精密模擬電路、白光LED背光驅(qū)動、雪崩光電二極管(APD)的偏置電路等。這就需要采用DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器來向上轉(zhuǎn)換到所需的電壓，讓設(shè)備既節(jié)能又高效的工作。
2022-06-21
DC-DC 升壓穩(wěn)壓器 外圍元器件
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如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后，源極信號耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法，關(guān)...
2022-06-20
CMOS開關(guān) 固態(tài)繼電器
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功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。
2022-06-17
功率半導體 IGBT 損耗
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有源前端整流器
介紹針對電動汽車充電器的最佳SiC功率拓撲和調(diào)制決策的設(shè)計技巧，利用指導拓撲和調(diào)制決策，有助于消除不可行選項，轉(zhuǎn)而關(guān)注那些可能表現(xiàn)良好的選項。
2022-06-17
電動汽車 整流器
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