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能源電力

變頻調(diào)速裝置抵御電能質(zhì)量擾動(dòng)的研究

本文提出了一種非常實(shí)用、易于大容量化的基于超級(jí)電容儲(chǔ)能的ASD結(jié)構(gòu),通過(guò)仿真及實(shí)驗(yàn)研究驗(yàn)證了所提拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制策略消除電能質(zhì)量擾動(dòng)對(duì)ASD影響的正確性及有效性。

2009-07-16

ASD 變頻調(diào)速質(zhì)量擾動(dòng)

開(kāi)關(guān)變壓器第八講鐵芯磁滯的回線測(cè)量

現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)電源的工作效率和體積以及安全要求越來(lái)越高，在開(kāi)關(guān)電源中決定工作效率和體積以及安全要求的諸多因素，基本上都與開(kāi)關(guān)變壓器有關(guān)。而與開(kāi)關(guān)變壓器技術(shù)性能相關(guān)最大的要算是變壓器的鐵芯材料。變壓器鐵芯材料的磁滯損耗和渦流損耗大小是決定變壓器鐵芯材料技術(shù)性能好壞最重要因素。因...

2009-07-16

變壓器

航天電器收購(gòu)林泉涉足微電機(jī)業(yè)務(wù)

航天電器通過(guò)組建林泉電機(jī)集團(tuán)，將林泉電機(jī)的微特電機(jī)業(yè)務(wù)納入麾下，既獲得了技術(shù)也獲得了市場(chǎng)

2009-07-15

微特電機(jī) 林泉電機(jī) 航天電器直線電機(jī)

IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出計(jì)算

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件，驅(qū)動(dòng)器的合理設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計(jì)算用于開(kāi)關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)器輸出性能的方法。

2009-07-15

IGBT IGBT驅(qū)動(dòng)器 IGBT的特性 DriverSel

逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)

本文通過(guò)分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT 采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。

2009-07-15

IGBT 工作原理保護(hù)措施

歐司朗的LED將采用于上海長(zhǎng)江隧道，配備數(shù)量41萬(wàn)個(gè)以上

歐司朗光電半導(dǎo)體的 Golden DRAGON Plus LED 獲得廣東中龍交通科技有限公司的肯定，用于上海長(zhǎng)江隧道照明項(xiàng)目。該隧道內(nèi)徑為 12.7 米，單洞長(zhǎng) 8.9 公里，采用雙管道結(jié)構(gòu)，每一管道均為單向 3 車(chē)道設(shè)計(jì)，共安裝有 5,886 套隧道燈，使用的歐司朗 Golden DRAGON Plus LED 超過(guò) 41 萬(wàn)多個(gè)，是目前全球最...

2009-07-14

LED 隧道燈 LED照明

2008年Applied Materials躍升至太陽(yáng)能廠商排名首位

根據(jù)VLSI Research的統(tǒng)計(jì)，Applied Material已躍居成為2008年全球排名第一的光伏設(shè)備制造商。

2009-07-14

光伏設(shè)備晶體硅薄膜太陽(yáng)能 solar

消費(fèi)電子出貨平均季增11.7%

全球消費(fèi)性電子市場(chǎng)第2季度雖出現(xiàn)季度增長(zhǎng)現(xiàn)象。消費(fèi)電子出貨在第2、3、4季分別季增5%、16.1%、14.1% 。全年將達(dá)到3076億美元，但從全年來(lái)看，還是無(wú)法出現(xiàn)意味復(fù)蘇的年增現(xiàn)象。

2009-07-14

電子市場(chǎng) 消費(fèi)性電子數(shù)碼相機(jī) 電玩主機(jī) 液晶電視

村田并購(gòu)昭和電工高分子電容器部門(mén)

村田制作所日前發(fā)布消息，村田已經(jīng)與昭和電工株式會(huì)社（Showa Denko K. K. (called Showa Denko hereafter)）達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議，昭和電工功能性高分子電容器事業(yè)部將在2009年內(nèi)移交給村田。

2009-07-14

村田昭和電工高分子電容器