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FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究
由于半導(dǎo)體生物傳感器的低成本、迅速反應(yīng)、檢測(cè)準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于此類傳感器的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場(chǎng)效應(yīng)管，它們被廣泛用于各種應(yīng)用：如生物研究，即時(shí)診斷，環(huán)境應(yīng)用，以及食品安全。
2023-11-20
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一文詳解場(chǎng)效應(yīng)管電流源
FET電流源是一種有源電路，它使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡(jiǎn)單的方法，只需使用單個(gè)FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準(zhǔn)電壓源，例如100uA、1mA或20mA。
2023-08-14
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？
學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見(jiàn)的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？
2023-05-23
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石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管
隨著硅晶體管的尺寸和性能接近其物理極限，需要尋找替代材料來(lái)支持更多的新興技術(shù)， 其中一個(gè)具有希望的材料石墨烯。由于其出色的電氣、機(jī)械和熱性能，使得它最有可能成為場(chǎng)效應(yīng)晶體溝道材料。
2023-05-17
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電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理
功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開(kāi)關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因?yàn)槠潆娏?、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。
2023-04-25
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RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在小家電的應(yīng)用
MOSFET是集成電路中帶有絕緣層的柵型場(chǎng)效應(yīng)管，主要分為N溝道和P溝道兩大類。其中N溝道MOS管電路中BEEP引腳可以控制蜂鳴器響應(yīng)和關(guān)閉，P溝道MOS管可以控制GPS模塊電源的通斷?？偟膩?lái)說(shuō)MOS管有著很高的輸入阻抗，能夠在電路中方便直接耦合，容易制作成為大規(guī)模的集成電路，還能作為可變電阻和電子開(kāi)關(guān)。
2022-11-25
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科普：MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫組成。即通過(guò)給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。
2022-11-04
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測(cè)量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2022-06-21
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【收藏】史上最全MOSFET技術(shù)疑難盤點(diǎn)
導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的，所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管(FET)，簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。MOS在電路中應(yīng)用很常見(jiàn)，主要作為開(kāi)關(guān)管，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中常見(jiàn)。
2021-03-22
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熱釋電紅外傳感器原理和應(yīng)用介紹
隨著社會(huì)的發(fā)展，各種方便于生活的自動(dòng)控制系統(tǒng)開(kāi)始進(jìn)入了人們的生活，以熱釋電紅外傳感器為核心的自動(dòng)門系統(tǒng)就是其中之一。熱釋電紅外傳感器是基于熱電效應(yīng)原理的熱電型紅外傳感器。其內(nèi)部的熱電元由高熱電系數(shù)的鐵鈦酸鉛汞陶瓷以及鉭酸鋰、硫酸三甘鐵等配合慮光鏡片窗口組成，其極化隨溫度的變化而變化。熱釋電紅外傳感器由傳感探測(cè)元、干涉濾光片和場(chǎng)效應(yīng)管匹配器三部分組成。
2021-02-02
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圣邦微電子同步降壓轉(zhuǎn)換器SGM61230，為抗擊極限過(guò)載而生
SGM61230是圣邦微電子推出的一顆輸入電壓4.5V至28V、連續(xù)輸出電流3A的同步降壓轉(zhuǎn)換器，包括兩個(gè)集成開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管、內(nèi)部回路補(bǔ)償和內(nèi)部5ms軟啟動(dòng)，有效減少元件使用數(shù)量。跳頻模式用來(lái)實(shí)現(xiàn)最大化輕載效率和降低功率損耗；66mΩ高側(cè)N溝道MOSFET的逐周期電流限制功能可以保護(hù)過(guò)載條件下的轉(zhuǎn)換器，并通過(guò)36mΩ低側(cè)MOSFET續(xù)流電流限制功能來(lái)防止電流失控。
2020-12-04
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碳化硅FET推動(dòng)了電力電子技術(shù)的發(fā)展
碳化硅（SiC）JFET是一種晶體管類型，它提供單位面積上最低的導(dǎo)通電阻RDS（on），是一種性能穩(wěn)定的器件。與傳統(tǒng)的MOSFET器件相比，JFET不易發(fā)生故障，適合斷路器和限流應(yīng)用。例如，如果你用1毫安的電流偏置一個(gè)JFET的柵極，并監(jiān)控柵極電壓Vgs，見(jiàn)圖1，你可以監(jiān)控器件的溫度，因?yàn)閂gs隨溫度線性降低。此屬性對(duì)于需要功率場(chǎng)效應(yīng)管（Sic JFET）的功率模塊應(yīng)用程序特別有用，它可以監(jiān)視其自身的運(yùn)行狀況。
2020-11-03
- 灣芯展2025預(yù)登記啟動(dòng)！10月深圳共襄半導(dǎo)體盛宴
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