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用于 SiC 解決方案設(shè)計的模塊化評估平臺
以碳化硅(SiC) 技術(shù)為動力的下一代功率半導(dǎo)體將滿足快速增長的純電動汽車 (BEV) 市場和充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求，以及對新能效標(biāo)準(zhǔn)、更高工業(yè)和可再生能源領(lǐng)域的功率密度和更小的系統(tǒng)尺寸。
2023-01-16
SiC 模塊化評估平臺
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使用推挽式放大器級增加放大器輸出驅(qū)動
許多便攜式電路需要精密測量能力以及低功耗操作，以最大限度地減少電流和電池消耗。在尋找具有這些要求的放大器時，可能相對容易滿足低功耗和精度要求，但驅(qū)動電流可能不足以滿足這些低功耗器件的需求。
2023-01-16
推挽式放大器 放大器輸出驅(qū)動
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如何實施時間敏感型網(wǎng)絡(luò)以確保確定性通信
確定性通信在各種應(yīng)用中至關(guān)重要，如自主機(jī)器人和其他工業(yè) 4.0 系統(tǒng)、5G 通信、汽車高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 以及實時流服務(wù)。IEEE 802 以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)（即時間敏感型網(wǎng)絡(luò) (TSN)）已經(jīng)擴(kuò)展，以支持確定性通信。如果實施得當(dāng)，TSN 可以與非 TSN 設(shè)備互操作，但確定性通信僅可在啟用 TSN 的設(shè)備之間進(jìn)行。
2023-01-16
時間敏感型網(wǎng)絡(luò) 通信 5G 通信 ADAS
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基于單片機(jī)系統(tǒng)的指紋識別方案和設(shè)計要點
隨著指紋識別在智能手機(jī)上面的普及，指紋識別技術(shù)在越來越多的場合中得到應(yīng)用。除了手機(jī)應(yīng)用之外，在移動支付、門禁系統(tǒng)、智能家庭等嵌入式場景中也逐漸普及開來。在系統(tǒng)實現(xiàn)上面，智能手機(jī)本身擁有強(qiáng)大的計算能力和豐富的內(nèi)存資源，實現(xiàn)指紋識別并不困難，但在嵌入式系統(tǒng)中特別是基于MCU的應(yīng)用場合...
2023-01-13
單片機(jī)系統(tǒng) 指紋識別
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高精度電流檢測放大器可實現(xiàn)電流檢測和均流
DC/DC 轉(zhuǎn)換器模塊之間的均流使多個模塊可以并聯(lián)。近年來，分立式電流檢測電路設(shè)計的嚴(yán)格容差使分立式電流檢測電路設(shè)計成為一項艱巨的挑戰(zhàn)。本應(yīng)用筆記介紹了一種采用MAX4372的低成本、節(jié)省空間、高精度電流檢測和共享方案。
2023-01-13
電流檢測放大器 電流檢測 均流
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晶圓級封裝Bump制造工藝關(guān)鍵點解析
射頻前端（RFFE，Radio Frequency Front-End）模組國內(nèi)外手機(jī)終端中廣泛應(yīng)用。它將功率放大器（PA，Power Amplifier）、開關(guān)（Switch）、低噪聲放大器LNA（Low Noise Amplifier）、濾波器（Filter）、無源器件等集成為一個模組，從而提高性能，并減小封裝體積。然而，受限于國外專利以及設(shè)計水平等...
2023-01-13
晶圓級封裝 Bump制造工藝 射頻前端 濾波器 賀利氏
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網(wǎng)絡(luò)分析儀在材料測試中的應(yīng)用
自然界中大多數(shù)物質(zhì)在微波波段都呈現(xiàn)為有損耗的絕緣體，稱之為電介質(zhì)，簡稱介質(zhì)。介質(zhì)在電場的作用下都會發(fā)生極化現(xiàn)象，即介質(zhì)在外加電場的作用下其內(nèi)部的正負(fù)電荷向著相反方向發(fā)生微小位移，從而產(chǎn)生許多電偶極矩。介質(zhì)極化后在介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生一個極化電場，這個電場的方向與外加電磁場的方向相反，...
2023-01-12
網(wǎng)絡(luò)分析儀 材料測試
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電感飽和與開關(guān)電源之間的密切關(guān)系(上篇）
作為電源界的"古早網(wǎng)紅"，開關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應(yīng)用在幾乎所有的電子設(shè)備中，而且在當(dāng)今的智能互聯(lián)時代也依然占據(jù)通信系統(tǒng)的C位，其熱度經(jīng)久不衰。
2023-01-12
電感飽和 開關(guān)電源
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使用虛擬實驗設(shè)計預(yù)測先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能
負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響，并且它會隨著 FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）器件工藝的持續(xù)微縮變得越來越重要[1-2]。當(dāng)晶圓的局部刻蝕速率取決于現(xiàn)有特征尺寸和局部圖形密度時，就會發(fā)生負(fù)載效應(yīng)?？涛g工藝 loading 帶來的器件結(jié)構(gòu)上的微小變化可能會對器件良率和性能產(chǎn)生負(fù)...
2023-01-11
虛擬實驗設(shè)計 FinFET技術(shù)
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