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能源電力

泰科電子推出符合ROHS認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的IDC SSL連接器

日前，泰科電子宣布推出全新IDC SSL連接器，用于實(shí)現(xiàn)LED印刷電路板(PCB)上散線的快速、免工具刺破式連接。該產(chǎn)品適用于18-24 AWG的單芯及多股線，通過絕緣刺破技術(shù)消除剝線與焊接過程中繁重的人工工作

2010-04-20

泰科 ROHS認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) IDC SSL連接器

應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦

2010-04-19

應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦

阿特斯陽(yáng)光電力榮獲加拿大安大略省176兆瓦光伏項(xiàng)目的承包

阿特斯陽(yáng)光電力，日前宣布獲得安大略省176兆瓦地面光伏電站項(xiàng)目的承包。此批項(xiàng)目將遵從安大略省最新出臺(tái)的太陽(yáng)能上網(wǎng)電價(jià) (FIT) 政策。安大略省的上網(wǎng)電價(jià) (FIT) 是加拿大綠色能源和綠色經(jīng)濟(jì)法的一個(gè)里程碑。

2010-04-19

阿特斯陽(yáng)光電力加拿大安大略省光伏太陽(yáng)能 cntsnew

2011年車燈市場(chǎng)LED尾燈成長(zhǎng)最強(qiáng)勁

由于車燈市場(chǎng)發(fā)展也進(jìn)入成熟期，先進(jìn)光源系統(tǒng)已成為車燈發(fā)展關(guān)鍵。2007年全球車燈市場(chǎng)規(guī)模132億美元，到2011年可望成長(zhǎng)到150億美元規(guī)模。其中，LED車燈市場(chǎng)規(guī)模約6.9億美元，但StrategiesUmlimited預(yù)計(jì)，到2011年全球LED車燈市場(chǎng)規(guī)模將可成長(zhǎng)到12億美元，LED車燈市場(chǎng)滲透率上看8%，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)13%。

2010-04-19

車燈市場(chǎng) LED尾燈強(qiáng)勁滲透率

安華高科技推出適合固態(tài)照明應(yīng)用的超小型封裝3W高功率LED

ASMT-Jx32提供有140o的寬廣視角，可以滿足需要良好色彩一致性的設(shè)計(jì)需求，Avago的3W產(chǎn)品是一款可以處理高溫和承受高驅(qū)動(dòng)電流的高性能LED，ASMT-Jx32擁有135oC的最高結(jié)溫，為照明設(shè)計(jì)工程師帶來更高的設(shè)計(jì)靈活度。

2010-04-19

固態(tài)照明超小型高功率LED 安華高

東京農(nóng)工大學(xué)開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器

東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布，開發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。

2010-04-19

東京大學(xué) 單層碳納米管鈦酸鋰鋰離子電容器

IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET

據(jù)稱，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購(gòu)買1萬個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。

2010-04-19

IR 導(dǎo)通電阻耐壓功率MOSFET

2011年電路保護(hù)市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)

2011年，市場(chǎng)預(yù)測(cè)預(yù)測(cè)表明：表面貼裝式壓敏電阻將在手機(jī)和汽車電子市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng)；聚合物PTC熱敏電阻在傳統(tǒng)過流保護(hù)如筆記本電腦和上網(wǎng)本的USB防護(hù)和電池的二次防護(hù)方面得到發(fā)展；NTC熱敏電阻的市場(chǎng)重心將偏向汽車和大型家庭用空調(diào)系統(tǒng)（其價(jià)值在于組件的生產(chǎn)，而不是熱敏電阻本身）；氣體放電管由于...

2010-04-16

過流保護(hù) 過壓保護(hù) 電路保護(hù)

全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出衰退潮有望扭轉(zhuǎn)

國(guó)際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2009年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本設(shè)備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設(shè)備部門中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設(shè)備支出大幅下滑47%，后端設(shè)備(BEE)支出亦減少40%。

2010-04-16

半導(dǎo)體設(shè)備資本支出衰退潮扭轉(zhuǎn)