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IMEC開發(fā)的硅納米線太陽能電池使轉(zhuǎn)換效率達30％以上
在太陽能電池領(lǐng)域，瞄準下下代太陽能電池的各種構(gòu)想不斷涌現(xiàn)。其中一種設(shè)想是在底板上排列細線狀的硅（硅納米線）。包括美國通用電氣（General Electric）在內(nèi)，目前世界各地都在進行開發(fā)。
2009-11-25
IMEC 太陽能電池 硅納米線 EUV曝光
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最先進液晶面板線項目啟動 投資逾200億
總投資達二百四十五億元的深圳市第八點五代薄膜晶體管液晶顯示器件生產(chǎn)線項目，十六日在深圳高交會上宣布正式啟動，標志著中國主要依靠自主創(chuàng)新建設(shè)、中國內(nèi)地迄今最高世代液晶面板生產(chǎn)線項目落戶深圳。
2009-11-25
液晶面板線 最先進 TFT-LCD
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FDFMA2P859T:飛兆半導(dǎo)體推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設(shè)計人員提升其設(shè)計性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計工程師和采購經(jīng)理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對電池充電和功率多工(power-multiple...
2009-11-25
飛兆半導(dǎo)體 MicroFET 薄型封裝 Farichild MOSFET
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中國電子報：今年第三季度是半導(dǎo)體業(yè)拐點
近日，企業(yè)第三季度財報紛紛出籠，產(chǎn)業(yè)好轉(zhuǎn)趨勢進一步明朗化。但由于企業(yè)上升動力不足，產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)“V型”反彈的可能性不大，應(yīng)該會在振蕩中上升。
2009-11-25
第三季度 半導(dǎo)體業(yè) 拐點 中國電子報
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Vishay擴展其超高可靠性貼片電阻的阻值范圍
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴大了符合美軍標MIL-PRF-55342認證的E/H薄膜貼片電阻的阻值范圍，推出增強型E/H貼片電阻。該系列電阻采用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。增強后的器件使高可靠性應(yīng)用能夠用上更低阻值的電阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值為49.9Ω，容差為0.1%，10Ω電阻的容差...
2009-11-25
Vishay 擴展 可靠性 貼片電阻 范圍
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中國在未來三年將成為拉動半導(dǎo)體行業(yè)增長的主要力量
畢馬威會計師事務(wù)所(KPMG)一項對半導(dǎo)體商高層的最新調(diào)查顯示，未來三年中國將成為該產(chǎn)業(yè)營收增長最重要的市場，其後是美國。
2009-11-24
半導(dǎo)體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
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比亞迪太陽能電池 一期100兆瓦項目投產(chǎn) 二期在建設(shè)之中
比亞迪商洛太陽能電池項去年12月開工，今年9月份，省政府把該項目列入全省新能源發(fā)展規(guī)劃的首個重點項目。目前100兆瓦太陽能電池項目即將建成投產(chǎn)，項目二期工程正在建設(shè)之中。
2009-11-24
比亞迪 太陽能電池 商洛
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泰科推出新型0603器件 擴展pOLYSWITCH產(chǎn)品系列
新型PolySwitch femtoSMDC016F器件比其他的表面貼裝器件占板面積都要小，測量尺寸僅為1.6mm x 0.8mm x 0.5mm，這為設(shè)計師在空間受限的應(yīng)用中提供了靈活性。該器件的額定工作電壓為9V，可提供一個0.16A的維持電流，以及一個40A的最大故障電流和4.2歐姆的最大阻抗。femtoSMDC器件的低功耗和快速動作時...
2009-11-24
泰科 PolySwitch femtoSMDC016F 0603 Tyco
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8430-21：日置數(shù)據(jù)記錄儀在各行業(yè)中發(fā)揮作用
日置公司的8430-21數(shù)據(jù)記錄儀，憑借其完善的軟件應(yīng)用、高效的采樣速度、方便的使用操作和低廉的價錢在各行業(yè)贏得了使用者的青睞，發(fā)揮了巨大的作用。
2009-11-23
8430-21 數(shù)據(jù)記錄儀 日置 數(shù)據(jù)記錄 溫度 濕度
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